类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：45V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　增益（hFE）：110 到 800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PQFN

BCP56T-Q 的核心特性之一是其宽泛的工作电压范围，能够在高达 45V 的集电极-发射极电压下稳定运行，这使其适用于多种电源管理和信号放大应用。
　　该晶体管具备较高的电流增益（hFE），在不同工作条件下可保持稳定的放大性能，适用于开关电路、线性放大器和驱动电路等场景。
　　由于采用了 PQFN 封装技术，BCP56T-Q 在小型化设计的同时提供了优异的热性能，确保了在高负载条件下的长期稳定性与散热效果。
　　此外，该器件符合 AEC-Q101 汽车电子认证标准，适合用于汽车控制模块、车载传感器、电动助力转向系统（EPS）以及其他严苛环境下的电子控制系统。

BCP56T-Q 主要用于汽车电子系统中的信号切换、低功率放大以及小信号驱动功能。例如，在车身控制模块中，它可用于控制照明、风扇、继电器等执行器；在仪表盘系统中用于驱动 LED 显示或蜂鸣器报警；同时也可以作为数字逻辑电路中的开关元件使用。
　　此外，该晶体管还可应用于消费类电子产品如智能家电、无线充电设备、便携式仪器等对空间和效率有较高要求的场合。由于其优良的电气特性和封装设计，BCP56T-Q 也常被用作通用型晶体管替代件，用于替换其他类似规格的小功率 NPN 型号以优化电路性能。

BCP56T, BCP56-10LT1G, BCX56-10