BCP56-10HX 时间：2025/9/14 22:35:00 阅读：4

BCP56-10HX 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和优异的热性能。该器件适用于各种中高功率应用，例如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等。BCP56-10HX 采用小型化的 PG-HSOF-8 封装形式，便于在空间受限的电路设计中使用，同时提供良好的散热能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5.6A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：PG-HSOF-8

特性

BCP56-10HX 具有多个关键特性，适用于高效率和高性能的应用场景。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，从而提高系统整体效率并减少发热。此外，该器件的高漏极电流能力（5.6A）使其能够处理较大的负载电流，适用于中等功率级别的开关应用。
　　BCP56-10HX 的最大漏-源电压为 100V，这使其适合用于多种电源转换器，例如升压（Boost）和降压（Buck）转换器。其栅极阈值电压范围为 2.0V 至 4.0V，能够与标准逻辑电平兼容，简化了栅极驱动电路的设计。该器件支持高达 ±20V 的栅极电压，提供了更大的驱动灵活性和稳定性。
　　该 MOSFET 采用 PG-HSOF-8 封装，具有良好的热性能和紧凑的外形，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和其他高可靠性应用。

应用

BCP56-10HX 被广泛应用于多种电子系统和模块中。常见的应用包括电源管理模块、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载开关以及电池管理系统。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统和车身控制模块。由于其低导通电阻和良好的热性能，它也适用于需要高效能和高可靠性的工业设备，如自动化控制系统和工业机器人。此外，BCP56-10HX 还可用于通信设备中的电源调节电路，以确保稳定的电力供应。