晶体类型：NPN型
　　集电极-发射极电压（VCE）：100V
　　集电极-基极电压（VCB）：100V
　　发射极-基极电压（VEB）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　总功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

BCP55-10T的主要特性之一是其出色的电压耐受能力。该晶体管的集电极-发射极电压（VCE）和集电极-基极电压（VCB）均为100V，使其能够在高压环境中稳定运行。这使其适用于诸如电源开关、电机控制、继电器驱动等需要较高电压隔离的场合。此外，BCP55-10T的集电极电流（IC）最大可达100mA，能够支持中等功率的应用，同时保持较低的功耗。晶体管的总功耗为300mW，确保在工作时不会因过热而损坏。其热阻（Rth）较低，有助于散热，从而提高器件的可靠性。
　　BCP55-10T的封装采用TO-252（DPAK）封装形式，这是一种表面贴装封装，适用于自动化生产，具有良好的散热性能和机械稳定性。TO-252封装通常用于功率半导体器件，可以提供良好的电气连接和热传导性能。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，存储温度范围为-65°C至+150°C，表明其在极端温度条件下仍能保持稳定运行。这种宽温度范围特性使其适用于工业控制、汽车电子、消费电子等多种应用环境。此外，BCP55-10T的发射极-基极电压（VEB）为5V，这有助于防止在高速开关应用中出现过压损坏的情况。

BCP55-10T晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、电机控制、继电器驱动、信号放大和开关电路。在电源管理应用中，该晶体管可用于DC-DC转换器、稳压电路以及负载开关控制。由于其较高的VCE和VCB额定值，BCP55-10T适合用于需要高压隔离的电路中，例如LED照明驱动电路和工业控制电路。
　　在电机控制方面，BCP55-10T可用于小型直流电机的驱动电路，如风扇控制、阀门控制和自动化设备中的执行机构控制。由于其能够承受一定的集电极电流，同时具备较高的电压耐受能力，因此在电机驱动应用中可以提供稳定的性能。
　　在继电器驱动电路中，BCP55-10T可作为继电器的开关元件，控制继电器的通断状态。由于继电器在切换时可能会产生较高的反向电压，BCP55-10T的高VCE和VCB额定值可以有效防止击穿，从而提高系统的可靠性。
　　此外，BCP55-10T还可用于音频放大器、信号处理电路以及各种数字逻辑电路中的开关元件。在消费电子产品中，如智能家电、LED照明设备和电源适配器中，BCP55-10T可以用于控制电源的通断、调节亮度或控制其他功能。

BCP55-10T的替代型号包括BCP55-10、BCP55-10LT1和BCP55-10W