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BCP53-10T1G 发布时间 时间:2022/12/29 17:15:52 查看 阅读:708

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:PNP

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V

 

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:PNP

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA, 500mA

    电流 - 集电极截止(最大):-

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):63 @ 150mA, 2V

    功率 - 最大:1.5W

    频率 - 转换:50MHz

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SOT-223 (3 引线 + 接片), SC-73, TO-261

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:SOT-223


资料

厂商
ON Semiconductor

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BCP53-10T1G参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)63 @ 150mA,2V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BCP53-10T1G-NDBCP53-10T1GOSTR