类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.2mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220AB
　　功率耗散（PD）：300W

BCC0M6Y具有优异的电气和热性能，适用于高效率的功率转换应用。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET具备高电流处理能力，能够承受较大的负载电流而不会显著升高温度。由于采用了先进的沟槽式栅极技术，BCC0M6Y在高频开关操作中表现出色，降低了开关损耗并提升了整体性能。
　　
　　该器件还具备良好的稳定性和可靠性，能够在严苛的工作环境中长时间运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于极端温度条件下的应用。此外，BCC0M6Y的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。
　　
　　TO-220AB封装形式确保了良好的散热性能，同时便于安装和散热片连接。这种封装设计能够有效降低结到环境的热阻，从而提升器件在高功率应用中的稳定性。此外，该封装具有较高的机械强度和良好的绝缘性能，确保了器件在恶劣环境中的可靠性。

BCC0M6Y广泛应用于各类电力电子系统中，包括DC-DC转换器、电机驱动、电源管理模块、电池充电器以及工业自动化设备。由于其高效率和高频性能，该器件特别适合用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。此外，BCC0M6Y也常用于汽车电子、可再生能源系统以及消费类电子产品中的功率控制电路。

STP100N6F6AG, IPP100N6S4-03, FDP100N6F6