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BC858CW-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 11:27:32 查看 阅读:12

BC858CW-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的通用P沟道小信号晶体管,采用SOT-323(SC-70)超小型表面贴装封装。该器件专为高频、低电流开关和放大应用设计,广泛应用于便携式电子设备、通信模块、电源管理电路以及各种消费类电子产品中。BC858CW-7-F属于BC856系列的一部分,具有良好的增益性能和快速的开关响应时间,适合在空间受限的高密度PCB布局中使用。该晶体管符合RoHS环保标准,并通过了无铅认证,适用于现代绿色电子制造工艺。其引脚兼容性良好,便于与其他厂商的同类产品进行替换或集成。BC858CW-7-F的工作温度范围宽,可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定运行,确保其在严苛环境下的可靠性。此外,该器件具备优良的热稳定性和较低的饱和压降,有助于降低功耗并提升系统效率。由于其出色的参数一致性与批量稳定性,BC858CW-7-F常被用于精密模拟电路和数字控制回路中的信号调理与驱动功能。

参数

型号:BC858CW-7-F
  制造商:Diodes Incorporated
  晶体管类型:P沟道
  最大集电极-发射极电压(VCEO):80V
  最大发射极-集电极电压(VECO):60V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大总功耗(Ptot):200mW
  直流电流增益(hFE):最小值110(典型测试条件IC=1mA, VCE=-5V),最高可达475
  过渡频率(fT):250MHz
  集电极-基极反向击穿电压(BVCBO):80V
  发射极-基极反向击穿电压(BVEBO):5V
  饱和电压(VCE(sat)):典型值0.07V(IC=-10mA, IB=-0.5mA)
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-323 (SC-70)
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

BC858CW-7-F具备优异的高频响应能力,其过渡频率高达250MHz,使其非常适合用于射频前端电路、高速开关逻辑以及小信号放大场景。在高频工作的条件下,该晶体管能够保持稳定的增益特性,有效减少信号失真,提升系统的整体性能。该器件的直流电流增益(hFE)范围宽,从110到475不等,依据不同分档等级提供一致且可靠的放大能力,适用于需要精确偏置设置的模拟电路设计。
  该晶体管采用SOT-323小型化封装,体积紧凑,仅占用极小的PCB面积,特别适用于智能手机、可穿戴设备、物联网节点等对空间高度敏感的应用场合。尽管尺寸微小,但其热阻设计合理,在适当散热条件下仍能承受200mW的最大功耗,保证长期运行的稳定性。此外,BC858CW-7-F具有较低的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)),通常仅为0.07V左右,这意味着在导通状态下能量损耗更少,有助于提高电源转换效率并减少发热问题。
  该器件还表现出良好的温度稳定性,无论是在低温启动还是高温运行环境下,其电气参数变化较小,确保电路性能的一致性。同时,它具备较强的抗静电能力和一定的过压耐受性,增强了在复杂电磁环境中工作的可靠性。所有金属连接均采用无铅焊接工艺,符合现代环保法规要求,支持回流焊和波峰焊等多种贴片加工方式,适应大规模自动化生产流程。

应用

BC858CW-7-F广泛应用于各类低功率电子系统中,作为开关或放大元件发挥关键作用。在便携式消费类电子产品如手机、平板电脑和蓝牙耳机中,常用于LED背光驱动、音频信号切换、电源路径控制等功能模块。其高增益和低噪声特性使其成为前置放大器、差分对管和有源滤波器的理想选择。
  在通信设备中,该晶体管可用于RF信号的调制解调电路、天线切换开关或低噪声放大级,凭借其250MHz的过渡频率支持UHF频段的操作需求。此外,在工业控制领域,BC858CW-7-F被用于传感器信号调理、继电器驱动接口和逻辑电平转换电路,实现微弱信号的可靠放大与传输。
  在电源管理系统中,它可以构成简单的LDO稳压结构或用于电池充放电控制中的通断调节。由于其P沟道特性,特别适合高端负载开关设计,能够直接由微控制器IO口驱动,简化外围电路设计。在汽车电子中,虽然不属于AEC-Q101认证器件,但在非关键性的车载信息娱乐子系统或车内照明控制中也有一定应用。此外,该器件也常见于各类PCB模块、DC-DC转换器反馈环路、保护电路和嵌入式控制系统中,体现出高度的通用性和灵活性。

替代型号

BC858CWS-7-F
  MMBT3906
  FMMT718
  ZTX605

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BC858CW-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)420 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC858CW-7-F-NDBC858CW-7-FDITR