类型：P沟道
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大耗散功率（Ptot）：250mW（@TA=25°C）
　　直流电流增益（hFE）：100 - 400（典型值，测试条件IC=2mA）
　　过渡频率（fT）：300MHz
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：≤500mV（IC=10mA, IB=0.5mA）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23 (SC-59)
　　引脚数：3
　　极性：PNP

BC858-BTF具备优异的高频响应能力，其过渡频率（fT）高达300MHz，使其能够在射频前端、高频振荡器和高速开关电路中有效工作。这一特性使得该晶体管不仅可用于传统的音频放大电路，还能胜任更高频率下的信号处理任务，例如在无线通信模块中作为小信号放大器使用。同时，其较高的直流电流增益（hFE）范围为100至400，确保了在不同工作条件下都能提供稳定的放大性能，减少了因批次差异带来的电路调试难度。
　　该器件具有较低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)），通常在IC=10mA、IB=0.5mA时不超过500mV，这有助于降低导通状态下的功耗，提高系统的能效表现，尤其适合电池供电设备的应用场景。此外，BC858-BTF的热稳定性良好，在环境温度变化较大的情况下仍能维持一致的电气特性，避免因温度漂移导致电路性能下降。
　　SOT-23封装提供了出色的散热性能和机械强度，虽然体积小巧，但足以承受常规焊接工艺（包括回流焊）而不损坏内部结构。该封装还支持高密度组装，适应现代电子产品小型化趋势。BC858-BTF的制造符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分要求，因此也可用于汽车电子中的非关键控制系统，如车内照明驱动或传感器信号调理电路。
　　另外，该晶体管具备较强的抗静电能力和电磁兼容性，能够在复杂电磁环境中稳定运行。其基极-发射极和基极-集电极结具有一定的反向击穿耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。综合来看，BC858-BTF凭借其高频特性、低功耗表现、高增益一致性及可靠的封装设计，成为众多模拟与混合信号电路中的理想选择。

BC858-BTF广泛应用于各类低功率电子系统中，尤其是在需要信号放大、电平转换或小电流开关控制的场合。常见用途包括音频前置放大器、有源滤波器、振荡电路以及逻辑驱动接口。由于其P沟道结构，它特别适用于负电源轨或共发射极配置下的开关应用，例如在DC-DC转换器的反馈控制环路中作为误差放大器的一部分，或者在LDO稳压器中用于调整输出电压。
　　在消费类电子产品中，该晶体管常被用于LED驱动电路，通过微控制器GPIO信号控制其导通与截止，实现对指示灯或背光的精确调控。此外，在传感器信号调理电路中，BC858-BTF可作为阻抗匹配或缓冲级，提升弱信号的驱动能力，减少后续电路对其造成的影响。
　　在通信设备中，BC858-BTF可用于射频信号的初级放大或混频电路中的负载元件，配合其他有源器件完成信号链处理。其300MHz的过渡频率使其能在VHF频段内保持良好增益，适合用于FM接收机、无线遥控模块或IoT节点的射频前端设计。
　　工业控制领域也广泛采用此类晶体管，例如用于继电器驱动、光电耦合器输入级或数字隔离电路中。当与NPN晶体管（如BC848）组成达林顿对时，可显著提升电流增益，适用于驱动较大负载的场景。此外，BC858-BTF还可用于电源序列控制、上电复位电路或电压检测模块中，发挥其精准的阈值响应能力。
　　由于其符合RoHS环保标准并具备良好的长期可靠性，BC858-BTF也被应用于医疗设备、智能家居控制器和便携式测量仪器等对安全性和稳定性要求较高的产品中。总体而言，其多功能性、小尺寸和高性能使其成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

BC858B SOT-23
　　BC858B-CG
MMBT3906
　　FMMT718