类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：200mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　封装形式：SOT-363（6引脚）

BC857W-C-RTK/P 的主要特性之一是其高电流增益（hFE），可以在不同的工作电流下提供110至800的增益范围，这使得该晶体管能够适应多种放大和开关应用需求。此外，该器件具有良好的频率响应特性，其过渡频率（fT）可达100MHz，适用于高频信号处理和放大电路。
　　另一个显著特性是其低饱和压降（VCEsat），这有助于减少晶体管在导通状态下的功耗，提高能效。同时，BC857W-C-RTK/P 的最大集电极电流为100mA，适合用于中等功率的开关控制应用。
　　该晶体管采用SOT-363小型封装，不仅节省空间，而且便于在自动化装配线中使用，提高了生产效率。此外，SOT-363封装具有良好的散热性能，确保晶体管在较高工作温度下仍能保持稳定运行。
　　BC857W-C-RTK/P 还具备较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作（通常为-55°C至+150°C），适合用于工业级和汽车电子应用。

BC857W-C-RTK/P 主要应用于需要信号放大的场合，例如音频放大器的前置放大级、传感器信号调理电路以及运算放大器外围电路中的增益控制部分。由于其高频响应特性，该晶体管也常用于射频（RF）和中频（IF）放大电路中。
　　在数字电路中，BC857W-C-RTK/P 可用作开关元件，控制LED、继电器、小型电机等负载的通断。其低饱和压降和高电流能力使其成为理想的选择，特别是在需要高效能和低功耗的应用中。
　　此外，该晶体管还可用于电源管理电路，如电压调节器、电流源和负载开关等。在这些应用中，BC857W-C-RTK/P 可以有效地调节输出电压或电流，确保系统的稳定运行。
　　由于其SOT-363封装的小型化设计，BC857W-C-RTK/P 特别适用于便携式电子产品、通信设备、消费类电子和汽车电子控制系统等空间受限的应用场景。

BC847W, BC847C, BC857C, BC857B