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BC857CW_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 8:54:43 查看 阅读:25

BC857CW_R1_00001是一款由恩智浦半导体公司(NXP Semiconductors)生产的双极型晶体管(BJT)芯片。该晶体管属于NPN型结构,具有高增益和低饱和压降的特点,适用于各种模拟和数字电路中的信号放大和开关应用。BC857CW_R1_00001采用SOT-323封装,具有紧凑的尺寸和良好的热稳定性,适合在高密度PCB布局中使用。

参数

类型:NPN晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
  最大集电极电流(IC):100mA
  直流电流增益(hFE):110-800(根据具体等级)
  最大功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-323

特性

BC857CW_R1_00001晶体管具有多种优良特性,使其在电子电路设计中广泛应用。首先,其NPN结构提供了良好的电流放大能力,适用于信号放大和功率控制应用。其次,BC857CW_R1_00001的最大集电极-发射极电压(VCEO)为30V,能够承受较高的电压应力,适用于中等电压的电路设计。此外,其最大集电极电流为100mA,满足大多数低功耗电子设备的需求。BC857CW_R1_00001的直流电流增益(hFE)范围较宽,从110到800,用户可以根据应用需求选择合适的增益等级。该晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于工业级和汽车电子应用。SOT-323封装提供了紧凑的外形和良好的散热性能,有助于提高PCB的集成度和可靠性。

应用

BC857CW_R1_00001晶体管广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。其主要应用包括信号放大器、开关电路、电源管理、传感器接口和逻辑电路等。由于其优良的电气性能和紧凑的封装,BC857CW_R1_00001在便携式电子产品和高密度PCB设计中尤为受欢迎。

替代型号

BC847CW, BC847C, BC857C

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BC857CW_R1_00001参数

  • 现有数量6,000现货
  • 价格1 : ¥1.51000剪切带(CT)3,000 : ¥0.27075卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)45 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)420 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大值250 mW
  • 频率 - 跃迁200MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装SOT-323