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BC857CS-AU_R1_000A1 发布时间 时间:2025/8/14 5:52:34 查看 阅读:18

BC857CS-AU_R1_000A1 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的沟槽技术,优化了导通电阻和开关性能,适用于高效率的电源转换和功率管理应用。该器件采用紧凑的 PG-HSOP-8 封装形式,具备良好的热性能和空间利用率,适用于工业自动化、电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用场景。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):20V
  连续漏极电流(ID):60A
  导通电阻(RDS(on)):3.4mΩ(典型值,VGS=10V)
  功率耗散(Ptot):63W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:PG-HSOP-8

特性

BC857CS-AU_R1_000A1 具备低导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。其先进的沟槽技术确保了优异的开关性能,降低了开关损耗,从而提升了整体能效。该器件还具备高电流承载能力,能够支持高功率密度的设计需求,适用于高负载条件下的稳定运行。此外,其 PG-HSOP-8 封装具有良好的热管理性能,有助于散热,确保在高温环境下仍能保持稳定工作。
  该 MOSFET 内置栅极保护功能,能够承受一定的过压和静电冲击,提升了器件的可靠性。其栅极驱动电压范围宽广,支持 4.5V 至 20V 的工作电压,兼容多种驱动电路设计。该器件还具备快速开关能力,适用于高频开关应用,如同步整流器、DC-DC 转换器和电源管理系统等。
  在热性能方面,BC857CS-AU_R1_000A1 的封装设计优化了热阻,使得在高负载条件下仍能有效散热,确保长期运行的稳定性与可靠性。

应用

BC857CS-AU_R1_000A1 主要用于需要高效能功率管理的场景,包括但不限于:工业自动化设备、电源模块、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制器以及汽车电子系统。其低导通电阻和高电流能力使其在高功率密度设计中尤为适用,例如服务器电源、电信设备、UPS 系统以及可再生能源转换装置等。
  此外,该器件也适用于需要高可靠性的汽车电子应用,如电动车辆的电池管理系统和车载充电器等。其优异的热管理和开关性能使其在高频开关应用中表现优异,满足现代电子系统对小型化、高效化的需求。

替代型号

BSC050N03MS、BSC059N03MS、BSC049N03MS、BSC060N03MS

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BC857CS-AU_R1_000A1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥1.99000剪切带(CT)3,000 : ¥0.34887卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)45V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)4μA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)420 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大值225mW
  • 频率 - 跃迁200MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装SOT-363