BC857CS-AU_R1_000A1 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的沟槽技术,优化了导通电阻和开关性能,适用于高效率的电源转换和功率管理应用。该器件采用紧凑的 PG-HSOP-8 封装形式,具备良好的热性能和空间利用率,适用于工业自动化、电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用场景。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):20V
连续漏极电流(ID):60A
导通电阻(RDS(on)):3.4mΩ(典型值,VGS=10V)
功率耗散(Ptot):63W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:PG-HSOP-8
BC857CS-AU_R1_000A1 具备低导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。其先进的沟槽技术确保了优异的开关性能,降低了开关损耗,从而提升了整体能效。该器件还具备高电流承载能力,能够支持高功率密度的设计需求,适用于高负载条件下的稳定运行。此外,其 PG-HSOP-8 封装具有良好的热管理性能,有助于散热,确保在高温环境下仍能保持稳定工作。
该 MOSFET 内置栅极保护功能,能够承受一定的过压和静电冲击,提升了器件的可靠性。其栅极驱动电压范围宽广,支持 4.5V 至 20V 的工作电压,兼容多种驱动电路设计。该器件还具备快速开关能力,适用于高频开关应用,如同步整流器、DC-DC 转换器和电源管理系统等。
在热性能方面,BC857CS-AU_R1_000A1 的封装设计优化了热阻,使得在高负载条件下仍能有效散热,确保长期运行的稳定性与可靠性。
BC857CS-AU_R1_000A1 主要用于需要高效能功率管理的场景,包括但不限于:工业自动化设备、电源模块、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制器以及汽车电子系统。其低导通电阻和高电流能力使其在高功率密度设计中尤为适用,例如服务器电源、电信设备、UPS 系统以及可再生能源转换装置等。
此外,该器件也适用于需要高可靠性的汽车电子应用,如电动车辆的电池管理系统和车载充电器等。其优异的热管理和开关性能使其在高频开关应用中表现优异,满足现代电子系统对小型化、高效化的需求。
BSC050N03MS、BSC059N03MS、BSC049N03MS、BSC060N03MS