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BC857BTT1G 发布时间 时间:2025/4/28 10:55:32 查看 阅读:15

BC857BTT1G是一款NPN型的小信号晶体管,属于BC857系列,广泛应用于各种电子设备中作为开关或放大元件。该晶体管采用了先进的半导体制造工艺,具有高增益、低噪声和优异的温度稳定性等特性。其小型化的SOT-323封装使其非常适合空间受限的设计场景。
  BC857系列晶体管通常用于音频放大器、射频放大器、信号切换电路以及其他需要高性能小信号处理的应用场合。

参数

集电极-发射极击穿电压(VCEO):45V
  集电极最大电流(IC):0.1A
  最大耗散功率(Ptot):315mW
  直流电流增益(hFE):110~800
  工作结温范围(Tj):-65℃~+150℃
  封装形式:SOT-323

特性

BC857BTT1G的主要特性包括:
  1. 高电流增益(hFE),适用于多种放大及开关应用。
  2. 小型化SOT-323封装设计,有助于节省PCB板上的空间。
  3. 较宽的工作温度范围,能够适应恶劣环境下的运行需求。
  4. 低噪声性能,确保在音频和其他信号处理应用中的高质量表现。
  5. 稳定的电气性能,保证长时间使用的可靠性。
  6. 具有良好的动态响应能力,适合高频电路设计。

应用

BC857BTT1G的典型应用领域包括:
  1. 消费类电子产品中的信号放大和开关控制。
  2. 音频设备中的前置放大器和功率驱动级。
  3. 工业自动化系统中的逻辑电平转换和信号隔离。
  4. 移动通信设备中的射频信号放大和调制解调电路。
  5. 电池供电设备中的低功耗设计与电源管理。
  6. 各种传感器接口和数据采集系统的信号调理电路。

替代型号

BC857B, BC857C, 2N3904, MPS2222A

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BC857BTT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)220 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装SC-75,SOT-416
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC857BTT1G-NDBC857BTT1GOSTR