BC857AW-AU_R1_000A1 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的双极型晶体管(BJT),属于通用型NPN晶体管。该器件采用SOT-363封装,适用于各种通用开关和放大电路应用。由于其高性能和小尺寸封装,BC857AW-AU_R1_000A1广泛用于便携式电子设备、工业控制系统和通信设备中。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Ptot):200 mW
电流增益(hFE):110 - 800(取决于工作电流)
过渡频率(fT):100 MHz
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
BC857AW-AU_R1_000A1具备多种优异特性,适用于广泛的电子设计场景。首先,该晶体管的最大集电极电流为100 mA,能够满足中低功率应用的需求。其次,其集电极-发射极电压(Vce)和集电极-基极电压(Vcb)均为30 V,使得该器件适用于较高电压的电路环境。此外,最大功耗为200 mW,有助于在小型封装中实现较高的热稳定性。
在电流增益方面,BC857AW-AU_R1_000A1的hFE范围为110至800,具体数值取决于集电极电流的大小。这种宽范围的增益特性使得该晶体管可以灵活地适应不同的电路设计需求,无论是用于开关还是放大应用,都能提供良好的性能表现。
该器件的过渡频率(fT)为100 MHz,表明其具有较好的高频响应能力,适用于中高频放大电路。此外,BC857AW-AU_R1_000A1采用SOT-363小型封装,节省PCB空间,非常适合用于紧凑型电子产品设计。
其工作温度范围为-55°C至+150°C,展现出良好的环境适应能力,适合在极端温度条件下使用。这使得BC857AW-AU_R1_000A1不仅适用于消费类电子产品,也可用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的场合。
BC857AW-AU_R1_000A1晶体管广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中,它常用于逻辑电路、信号放大器和电源管理模块。由于其高频响应良好,也常用于射频(RF)前置放大器和中频放大器。在工业控制系统中,该晶体管可用于驱动继电器、LED显示器和小型电机等负载。此外,在汽车电子系统中,BC857AW-AU_R1_000A1可应用于传感器信号处理、车载通信模块和控制单元中。由于其SOT-363封装体积小巧,也非常适合用于便携式设备,如智能手机、平板电脑和穿戴式电子产品中的开关和信号调节电路。
BC847AW, BC857B, BC857C, 2N3904, PN2222A