时间：2025/9/12 17:31:06
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BC856W-B-RTK是一款由NXP Semiconductors制造的NPN型双极结型晶体管（BJT），属于BC856系列。该晶体管广泛应用于通用开关和放大电路中，特别适用于需要高增益和低噪声性能的场合。BC856W-B-RTK采用SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装，非常适合在空间受限的电子设备中使用。
晶体管类型：NPN BJT
封装类型：SOT-323（SC-70）
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极电流（Ic）：100 mA
功耗（Ptot）：300 mW
增益带宽积（fT）：100 MHz
电流增益（hFE）：110 至 800（取决于工作电流）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
BC856W-B-RTK是一款性能优异的NPN晶体管，具有高电流增益（hFE）和良好的频率响应能力，适合用于音频放大器和射频电路中的信号放大。该晶体管的hFE值范围较宽，从110到800，这使得它在不同工作电流条件下都能保持良好的放大性能。其100MHz的增益带宽积（fT）确保了晶体管在高频应用中仍能稳定工作。
此外，BC856W-B-RTK具有良好的热稳定性和低噪声特性，适合用于对噪声敏感的模拟电路中。该晶体管的最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，能够胜任多种中低功率的开关和放大任务。SOT-323封装形式不仅节省空间，而且便于自动化装配，提高了生产效率。
晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其在极端环境条件下仍能保持可靠运行。该器件的可靠性高，适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域。
BC856W-B-RTK常用于各种通用电子电路中，包括信号放大、开关控制、逻辑电平转换等应用场景。由于其良好的高频性能，该晶体管也常用于音频放大器、射频前端电路以及传感器信号调理电路。此外，BC856W-B-RTK适用于电池供电设备、便携式电子产品和嵌入式控制系统中的低功耗设计。
BC846W, BC856W-BE6327, BC856C
