BC856W-B-RTK是一款由NXP Semiconductors制造的NPN型双极结型晶体管(BJT),属于BC856系列。该晶体管广泛应用于通用开关和放大电路中,特别适用于需要高增益和低噪声性能的场合。BC856W-B-RTK采用SOT-323(SC-70)小型表面贴装封装,非常适合在空间受限的电子设备中使用。
晶体管类型:NPN BJT
封装类型:SOT-323(SC-70)
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极电流(Ic):100 mA
功耗(Ptot):300 mW
增益带宽积(fT):100 MHz
电流增益(hFE):110 至 800(取决于工作电流)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
BC856W-B-RTK是一款性能优异的NPN晶体管,具有高电流增益(hFE)和良好的频率响应能力,适合用于音频放大器和射频电路中的信号放大。该晶体管的hFE值范围较宽,从110到800,这使得它在不同工作电流条件下都能保持良好的放大性能。其100MHz的增益带宽积(fT)确保了晶体管在高频应用中仍能稳定工作。
此外,BC856W-B-RTK具有良好的热稳定性和低噪声特性,适合用于对噪声敏感的模拟电路中。该晶体管的最大集电极-发射极电压为30V,最大集电极电流为100mA,能够胜任多种中低功率的开关和放大任务。SOT-323封装形式不仅节省空间,而且便于自动化装配,提高了生产效率。
晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C,表明其在极端环境条件下仍能保持可靠运行。该器件的可靠性高,适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域。
BC856W-B-RTK常用于各种通用电子电路中,包括信号放大、开关控制、逻辑电平转换等应用场景。由于其良好的高频性能,该晶体管也常用于音频放大器、射频前端电路以及传感器信号调理电路。此外,BC856W-B-RTK适用于电池供电设备、便携式电子产品和嵌入式控制系统中的低功耗设计。
BC846W, BC856W-BE6327, BC856C