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BC856BW-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 8:39:04 查看 阅读:11

BC856BW-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装小信号PNP晶体管,采用SOT-23(SC-59)封装形式,适用于高频、低功率应用场合。该器件属于BC856系列的一部分,广泛用于便携式电子设备中的开关和放大电路。BC856BW-7-F通过优化制造工艺,确保了良好的电流增益(hFE)稳定性与低饱和压降,使其在电池供电系统中表现出优异的能效特性。该晶体管符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适合现代自动化贴片生产线。其“-7-F”后缀表示该器件为卷带包装,便于SMT贴片机连续供料,适用于大规模生产场景。BC856BW-7-F的工作温度范围通常为-55°C至+150°C,结温能力高,具备较强的环境适应性,能够在多种工业与消费类电子环境中稳定运行。

参数

型号:BC856BW-7-F
  类型:PNP小信号晶体管
  封装:SOT-23 (SC-59)
  极性:PNP
  集电极-发射极电压(VCEO):65V
  集电极-基极电压(VCBO):80V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(PD):200mW
  直流电流增益(hFE):110 - 450(测试条件IC = 2mA, VCE = 5V)
  过渡频率(fT):300MHz
  最大工作结温(Tj):150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:表面贴装(SMD)
  包装方式:卷带(Tape and Reel)
  符合标准:RoHS, 无卤素(Halogen Free)

特性

BC856BW-7-F具备优异的高频响应能力和稳定的直流电流增益特性,是专为低噪声放大和高速开关设计的小信号PNP晶体管。其过渡频率高达300MHz,意味着在射频前端、音频前置放大器以及高频振荡电路中具有出色的表现力。在典型的音频放大应用中,该晶体管能够提供清晰的信号增益而不引入显著失真,得益于其线性化的输入输出特性曲线。此外,hFE值在110至450之间的宽范围分布保证了不同批次产品的一致性,同时允许设计者根据具体需求选择合适增益档位的器件进行匹配优化。
  该器件采用SOT-23小型化封装,尺寸紧凑(约2.8mm × 1.6mm × 1.1mm),非常适合空间受限的便携式电子产品,如智能手机、蓝牙耳机、可穿戴设备和小型传感器模块。由于其低饱和电压(典型VCE(sat) = 0.09V @ IC = 10mA, IB = 0.5mA),在用作开关元件时能够有效降低导通损耗,提升系统整体效率。热阻方面,RθJA约为625°C/W,表明其散热能力适中,需合理布局PCB以增强散热性能。
  BC856BW-7-F还具备良好的温度稳定性,在宽温度范围内保持电气参数一致性,适用于汽车电子、工业控制等严苛环境。其基极-发射极结具有一定的静电放电(ESD)防护能力,但仍建议在敏感电路中增加外部保护措施。该晶体管支持无铅回流焊工艺,兼容现代绿色制造流程,并通过AEC-Q101等可靠性认证的部分测试项目,进一步提升了其在高要求应用场景中的可信度。

应用

BC856BW-7-F广泛应用于各类低功率模拟与数字电路中,尤其适合需要小型化、高可靠性和良好高频性能的设计场景。在便携式消费电子产品中,它常被用于音频信号放大、麦克风前置放大器、耳机驱动电路以及电源管理模块中的电平转换与使能控制。在无线通信设备中,该晶体管可用于RF信号的缓冲放大或混频电路中的有源增益单元,利用其300MHz的高fT特性实现对高频信号的有效处理。
  在嵌入式系统和微控制器外围电路中,BC856BW-7-F常作为驱动三极管使用,用于控制LED指示灯、继电器线圈或MOSFET栅极的开启与关闭。由于其具备较高的电流增益和较低的饱和压降,能够以较小的基极驱动电流实现负载的完全导通,从而减少主控芯片的输出负担并提高能效。
  此外,该器件也适用于各种传感器信号调理电路,例如温度、光强或加速度传感器的信号放大与隔离级联。在工业自动化设备中,BC856BW-7-F可用于接口电平转换、光电耦合器驱动或逻辑电平反相器构建。由于其耐温性能优良,也可部署于车载电子系统中,如车内照明控制、BCM(车身控制模块)中的开关阵列或CAN总线节点的信号驱动部分。总之,该晶体管凭借其多功能性、稳定性和小型封装,已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

替代型号

MMBT3906
  BC856B
  BC846BW-7-F
  FMMT718

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BC856BW-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)65V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)220 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC856BW-FDITR