时间：2025/8/14 8:02:30
阅读：10
BC850C_R1_00001 是英飞凌（Infineon）公司生产的一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型，适用于多种通用和高频率应用。该晶体管具有高性能和可靠性，适合在开关和放大电路中使用。其设计支持较高的工作频率，能够在高频电子电路中提供优异的性能。BC850C_R1_00001 采用 SOT-23（Small Outline Transistor）封装，体积小，适合空间有限的应用场景。该器件的热性能和电气特性均经过优化，确保在各种工作条件下都能保持稳定运行。
晶体管类型：NPN
集电极-发射极电压（Vceo）：30V
集电极-基极电压（Vcbo）：30V
发射极-基极电压（Vebo）：5V
最大集电极电流（Ic）：100mA
功耗（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-65°C 至 150°C
电流增益（hFE）：110 至 800（具体取决于电流和电压条件）
过渡频率（fT）：100MHz
封装类型：SOT-23
BC850C_R1_00001 是一款高性能的 NPN 晶体管，具有宽广的电流增益范围，从 110 到 800，这使得它在多种放大电路中都非常适用。其过渡频率（fT）达到 100MHz，使其能够支持高频信号的放大和处理，非常适合用于射频（RF）或高速数字电路中的开关应用。
这款晶体管的集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 30V，具有良好的耐压能力，能够适应多种电源条件下的电路设计需求。同时，其发射极-基极电压为 5V，保证了在常见的低电压应用中能够稳定工作。
BC850C_R1_00001 的最大集电极电流为 100mA，功耗为 300mW，能够在不产生过多热量的情况下提供足够的电流输出，适用于各种小型电子设备。其 SOT-23 封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的热管理性能，使得该晶体管可以在空间受限的设计中轻松集成。
BC850C_R1_00001 主要用于需要高频信号处理和低功率放大的电路中。例如，在射频（RF）前端电路中，它可以用作低噪声放大器（LNA）来增强微弱信号。在数字电路中，它可以作为高速开关使用，适用于脉冲调制和信号切换等场景。此外，BC850C_R1_00001 也广泛应用于音频放大器、传感器接口电路以及各种低电压控制电路中。
由于其优异的高频性能，该晶体管常用于无线通信设备，如 Wi-Fi 模块、蓝牙模块和 ZigBee 设备等。在这些应用中，BC850C_R1_00001 可以有效地放大高频信号，提高系统的传输距离和信号质量。另外，它还可以用于电源管理电路，如 DC-DC 转换器中的开关元件，帮助实现高效的能量转换。
在消费电子产品中，BC850C_R1_00001 常用于驱动 LED 显示屏、小型电机、继电器等负载。由于其小型化的 SOT-23 封装，非常适合在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型产品中使用。
BC847C_R1_00001
BC848C_R1_00001
2N3904
MMBT3904
2N2222
