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BC850CLT1G 发布时间 时间:2025/6/17 1:31:27 查看 阅读:4

BC850CLT1G 是一款 NPN 型号的双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),广泛应用于各种电子电路中。该型号属于 BC850 系列,主要用作信号放大和开关控制元件。它具有良好的高频性能、低噪声特性和较高的电流增益,在消费类电子产品、通信设备和工业控制系统等领域应用非常普遍。
  BC850CLT1G 的封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,这种封装方式使得其适合高密度电路板设计,并具备优异的散热性能。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):45V
  集电极电流(IC):0.5A
  直流电流增益(hFE):110~800
  功率耗散(Ptot):350mW
  结温范围(Tj):-55℃~+150℃
  存储温度范围(Tstg):-65℃~+150℃
  工作频率(ft):300MHz

特性

BC850CLT1G 晶体管的关键特性包括:
  1. 高增益:其直流电流增益 hFE 范围为 110 至 800,这使其非常适合用于需要精确控制的应用场景。
  2. 小型化封装:SOT-23 封装体积小巧,便于在紧凑型电路设计中使用。
  3. 宽广的工作温度范围:能够适应从 -55°C 到 +150°C 的环境温度,确保在极端条件下的可靠运行。
  4. 高频性能:该晶体管具有高达 300MHz 的工作频率,适用于高频信号处理及射频相关应用。
  5. 低功耗:最大功率耗散仅为 350mW,有助于降低整体系统能耗。

应用

BC850CLT1G 广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的音频信号放大器。
  2. 开关电源中的驱动电路。
  3. 各种工业控制系统的信号调理模块。
  4. 数字逻辑电路中的开关元件。
  5. 高速数据传输中的缓冲器和线路驱动器。
  6. 远程传感器网络中的节点控制单元。

替代型号

BC850CXT1G, BC850BXT1G, BC850CLT1G

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BC850CLT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)420 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC850CLT1GOSTR