晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：5mA
　　最大耗散功率：300mW
　　电流增益（hFE）：110 @ 2mA, 5V
　　过渡频率：250MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

BC849-B-RTK 拥有出色的电气性能和稳定性，适用于广泛的小信号处理和开关电路。其最大集电极电流为 100mA，集电极-发射极电压最大为 30V，适用于多种低压电路设计。该晶体管的电流增益（hFE）在 2mA、5V 条件下可达到 110，具有较高的放大能力。
　　此外，BC849-B-RTK 的过渡频率为 250MHz，能够在较高频率下保持良好的性能，适合用于射频（RF）和高速开关应用。其 SOT-23 小型封装不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 设计中使用。
　　该器件的功耗为 300mW，适用于电池供电设备和低功耗系统。工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其在各种环境条件下都能稳定运行。BC849-B-RTK 还符合 RoHS 标准，符合现代电子产品对环保材料的要求。

BC849-B-RTK 适用于多种电子应用，包括小信号放大、开关控制、逻辑电平转换、驱动 LED 和继电器等负载、模拟和数字电路中的信号处理等。
　　该晶体管常用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表和家用电器。在工业控制系统中，它可用于传感器信号放大和执行器控制。同时，其高频特性也使其适合用于射频模块和无线通信设备中的前置放大器电路。
　　在汽车电子领域，BC849-B-RTK 可用于车载娱乐系统、车身控制模块和传感器接口电路。由于其高可靠性和宽温度范围，也适合用于恶劣环境下的工业和汽车应用。

BC847B, BC817-25, 2N3904, MMBT3904