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BC848ALT1G 发布时间 时间：2022/12/16 15:11:18 查看 阅读：671

    类型:NPN

    集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):30

    集电极最大电流Ic(max)(mA):100

   

目录

概述

    类型:NPN

    集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):30

    集电极最大电流Ic(max)(mA):100

    直流电流增益hFE最小值(dB):110

    直流电流增益hFE最大值(dB):220

    最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100

    封装/温度(℃):SOT-23/-55~150


资料

厂商
ON Semiconductor

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BC848ALT1G产品

BC848ALT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）600mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)110 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3（TO-236）
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC848ALT1GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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