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BC848ALT1G 时间：2022/12/16 15:11:18 阅读：912

类型:NPN

集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):30

集电极最大电流Ic(max)(mA):100

概述

类型:NPN

集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):30

集电极最大电流Ic(max)(mA):100

直流电流增益hFE最小值(dB):110

直流电流增益hFE最大值(dB):220

最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100

封装/温度(℃):SOT-23/-55~150

资料

厂商
ON Semiconductor

BC848ALT1G推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

BC848ALT1G
深圳智睿捷科技有限公司
15000
ON/LRC
19+/SOT23

BC848ALT1G
深圳市福田区汇融电子经营部
4300
ON/安森美
22+/SOT23

BC848ALT1G
深圳市富楷科技有限公司
150000
ON/安森美
23+/SOT23

BC848ALT1G
深圳市思佳捷科技有限公司
114000
ON
24/25+/-

BC848ALT1G
深圳市蓝图麦浪电子科技有限公
100000
ON
20+/TSSOP

BC848ALT1G
深圳市世纪成达电子科技有限公
8997
ON
2023+/SOT23

BC848ALT1G
深圳市杰兴伟业电子有限公司
300000
onsemi(安森美)
23+/SOT233

BC848ALT1G
深圳华美锐科技有限公司
2270
ON SEMICONDUCTOR
-/-

BC848ALT1G
深圳市华美锐科技有限公司
5500
ON SEMICONDUCTOR
-/-

BC848ALT1G
深圳市华美锐电子有限公司
80649
ON
23+/TSSOP

BC848ALT1G
深圳市富莱微科技有限公司
8963
ON Semiconductor
22+/TO2363 SC59 SOT233

BC848ALT1G
深圳市怡兴业电子科技有限公司
6500
ON/安森美
23+/SOT23

BC848ALT1G
深圳市赛美科科技有限公司
96500
NEXPERIA/安世
2025+/NA

BC848ALT1G
深圳市爱冠伟业电子有限公司
2890
ON SEMICONDUCTOR
-/-

BC848ALT1G
深圳羚行科技有限公司
5000
ON Semiconductor
22+/TO2363 SC59 SOT233

BC848ALT1G
深圳市南烽电子有限公司
5000
ON
25+/TSSOP

BC848ALT1G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
7650
ON Semiconductor
2014+/-

BC848ALT1G
深圳市腾桩电子有限公司
9000
ON
25+/21+

BC848ALT1G
深圳世鹏翔科技有限公司
10000
onsemi(安森美)
24+/SOT233

BC848ALT1G
现代芯城（深圳）科技有限公司
46000
一级代理
NEW/NEW

BC848ALT1G资料更多>

型号
描述
品牌
阅览下载

BC848ALT1G
General Purpose Transistors(NPN Sili...
ONSEMI
阅览

BC848ALT1G
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
阅览

BC848ALT1G
General Purpose Transistors(NPN Sili...
ONSEMI [...
阅览下载

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IC词条百科

BC848ALT1G产品

BC848ALT1G参数

标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 单路
系列-
晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大）-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)110 @ 2mA，5V
功率 - 最大225mW
频率 - 转换100MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3（TO-236）
包装带卷 (TR)
其它名称BC848ALT1GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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