BC848-C-RTK/P 时间：2025/9/12 11:08:19 阅读：4

BC848-C-RTK/P 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的NPN型双极结型晶体管（BJT），属于BC848系列的一部分。这款晶体管设计用于通用开关和放大应用，具有良好的稳定性和可靠性。BC848-C-RTK/P采用SOT-23（小型晶体管外形封装）封装形式，适用于表面贴装技术（SMT），广泛用于消费类电子产品、工业控制设备和通信系统等领域。

参数

晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级划分）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（TO-236）

特性

BC848-C-RTK/P具备多项优良特性，使其在各种电子电路中表现出色。
　　首先，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，能够满足大多数低功率应用的需求，同时具备较高的集电极-发射极击穿电压（30 V），使其在中等电压环境下仍能稳定工作。
　　其次，BC848-C-RTK/P的电流增益（hFE）范围广泛，根据不同的等级划分，hFE值可从110到800不等，这使得用户可以根据具体需求选择合适的晶体管，从而优化电路性能。
　　此外，该器件的过渡频率（fT）为100 MHz，意味着它能够在较高频率下保持良好的放大性能，适用于射频（RF）和高速开关应用。
　　BC848-C-RTK/P采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并且支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　其工作温度范围为-55°C至+150°C，确保了在极端环境条件下的稳定运行，适用于汽车电子、工业自动化等对可靠性要求较高的应用场合。
　　最后，该晶体管的功耗较低，最大功耗为300 mW，有助于减少系统整体能耗，提高能效。

应用

BC848-C-RTK/P因其优异的电气特性和紧凑的封装形式，被广泛应用于多种电子设备和系统中。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、音频放大器和电源管理模块中，BC848-C-RTK/P常用于信号放大和开关控制电路。
　　在工业控制领域，该晶体管可用于传感器信号处理、继电器驱动、LED控制以及逻辑电平转换等场景。
　　在通信系统中，由于其100 MHz的过渡频率特性，BC848-C-RTK/P适用于低噪声放大器、射频开关和中继器等应用。
　　此外，该晶体管也常见于汽车电子系统，如车身控制模块、车载娱乐系统和电池管理系统等，满足汽车工业对高温和高可靠性的要求。
　　由于其SOT-23封装的小型化特点，BC848-C-RTK/P也非常适合便携式设备和可穿戴电子产品中的空间受限设计。