晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：30V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：110至800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

BC847CPDW1T1G 是一款高性能的NPN双极晶体管，其主要特点包括低饱和压降、高频率响应和宽工作温度范围，适合在各种模拟和数字电路中使用。
　　该晶体管具备良好的电流放大能力，直流电流增益（hFE）在不同等级下可达到110至800，适应不同的放大需求。其过渡频率（fT）为100MHz，表明该器件适用于中高频信号放大应用，如射频（RF）电路和音频放大器。
　　封装形式为SOT-323（SC-70），具有小巧轻便的特点，适合高密度PCB布局设计。该封装不仅节省空间，还便于自动化贴片生产，提高了制造效率。
　　此外，BC847CPDW1T1G 的集电极-发射极电压（Vceo）为30V，集电极最大电流为100mA，能够在中低功率条件下稳定工作。其最大功率耗散为300mW，确保了在小信号和开关应用中的热稳定性。
　　该晶体管的制造工艺成熟，具有优异的稳定性与一致性，适用于各类通用电子设备，包括电源开关、逻辑电路、LED驱动、传感器接口等应用场景。

BC847CPDW1T1G 主要应用于便携式电子设备、通信设备、音频放大器、传感器电路、逻辑电平转换、LED驱动、电源开关控制以及各种通用模拟和数字电路设计中。

BC847C、2N3904、MMBT3904、2N2222、BC547