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BC847CLT1G 发布时间 时间:2024/8/15 16:53:37 查看 阅读:155

频率:100 MHz
  额定电压(DC):45.0 V
  额定电流:100 mA
  额定功率:300 mW
  无卤素状态:Halogen Free
  针脚数:3
  极性:NPN
  耗散功率:300 mW
  增益频宽积:100 MHz
  击穿电压(集电极-发射极):45 V
  集电极最大允许电流:0.1A
  最小电流放大倍数(hFE):420
  额定功率(Max):300 mW
  直流电流增益(hFE):420
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):300 mW

封装参数

安装方式:Surface Mount
  引脚数:3
  封装:SOT-23-3

外形尺寸

长度:2.9 mm
  宽度:1.3 mm
  高度:0.94 mm
  封装:SOT-23-3

物理参数

材质:Silicon
  工作温度:-55℃~150℃(TJ)

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free
  REACH SVHC标准:No SVHC

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)
  制造应用:车用,Automotive,工业,Power Management,Indu

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BC847CLT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)420 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC847CLT1GOSTR