晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：110至800（取决于工作电流）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-323（SC-70）

BC847BW_R1晶体管具备良好的电气性能和稳定的工作特性，适用于各种中低功率应用。其主要特点包括较高的电流放大系数（hFE），能够在较宽的电流范围内提供稳定的放大性能。该晶体管的Vceo额定电压为30V，使其适用于多种电源电压环境下的电路设计。
　　此外，BC847BW_R1采用了SOT-323小型封装，具有较小的体积和轻便的重量，非常适合用于高密度PCB布局和空间受限的设计。其封装材料符合RoHS环保标准，适合现代电子制造中对环保材料的要求。
　　该晶体管的工作温度范围通常为-55°C至+150°C，能够在较宽的温度范围内保持稳定性能，适用于工业级和消费级应用场景。同时，其最大功耗为300mW，能够满足大多数低功耗电子设备的需求。

BC847BW_R1晶体管广泛应用于各种电子电路中，包括信号放大、开关控制、逻辑电路和接口电路等。在数字电路中，该晶体管常用于驱动LED、继电器、小型电机和其他负载设备。在模拟电路中，可用于音频放大器的前置放大级或信号处理电路中的开关元件。
　　此外，BC847BW_R1也常用于微控制器和数字信号处理器（DSP）的外围电路中，作为输入/输出端口的缓冲或驱动器件。在通信设备中，该晶体管可用于射频信号的放大或调制电路中，提供稳定的信号增益。
　　由于其小型封装和良好的电气性能，BC847BW_R1也非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线传感器等。在这些应用中，该晶体管能够提供可靠的开关和放大功能，同时帮助减少电路板的空间占用。

BC847BPN, BC847BDS, BC847BHX