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BC847BWT1G 发布时间 时间:2022/12/13 13:49:47 查看 阅读:399

    晶体管极性:NPN

    电压, Vceo:45V

    截止频率 ft, 典型值:100MHz

    功耗, Pd:150mW

    集电极直流电流:100mA

    直流电流增益 hFE:290

    

目录

概述

    晶体管极性:NPN

    电压, Vceo:45V

    截止频率 ft, 典型值:100MHz

    功耗, Pd:150mW

    集电极直流电流:100mA

    直流电流增益 hFE:290

    工作温度范围:-55°C to +150°C

    封装类型:SOT-323

    针脚数:3

    SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)

    封装类型:SC-70

    晶体管类型:RF Bipolar

    表面安装器件:表面安装

    集电极连续电流:100mA

    封装类型:SC-70


资料

厂商
ON Semiconductor

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BC847BWT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC847BWT1G-NDBC847BWT1GOSTR