类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB0）：30 V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　最大功耗（PD）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70）
　　电流增益（hFE）：110 - 800（具体值取决于等级）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　饱和压降（VCE(sat)）：最大0.2 V（典型值）

BC847BWT/R晶体管具有多项显著特性，适用于广泛的应用场景。
　　首先，其采用SOT-323封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，适合便携式设备和空间受限的应用。
　　其次，BC847BWT/R具有较高的电流增益（hFE）范围（110至800），这意味着它可以在不同的工作条件下提供稳定的放大性能，适用于信号处理和放大电路设计。
　　此外，其最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，能够满足低功率开关和放大需求，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　最后，BC847BWT/R的过渡频率（fT）为100 MHz，表明其在高频应用中具有良好的响应能力，适合用于高频信号处理和开关控制电路。

BC847BWT/R晶体管广泛应用于各种电子设备和系统中，尤其适合低功率信号放大、开关控制和数字逻辑电路。
　　在模拟电路中，该晶体管可用于构建共射放大器、射极跟随器等基本放大电路，适用于音频信号放大和传感器信号处理。
　　在数字电路中，BC847BWT/R常用于构建开关电路，例如驱动LED、继电器、小型电机等负载，也可用于电平转换和信号缓冲。
　　此外，该晶体管还可用于构建振荡器、稳压电路和逻辑门电路，适用于通信设备、消费电子产品和工业控制系统。
　　由于其宽工作温度范围和高可靠性，BC847BWT/R也常用于汽车电子系统，如车载控制模块、传感器接口电路和照明控制系统。
　　对于嵌入式系统和微控制器应用，BC847BWT/R可用于构建外部驱动电路，实现对外部设备的控制和管理。

BC847BW, BC847C, 2N3904, PN2222, BC547