您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BC846BM3T5G

BC846BM3T5G 发布时间 时间:2022/12/1 14:03:18 查看 阅读:721

    类型:NPN

    集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):65

    集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.100

    直流电流增益hFE最小值(dB):200

    

目录

概述

    类型:NPN

    集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):65

    集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.100

    直流电流增益hFE最小值(dB):200

    直流电流增益hFE最大值(dB):450

    最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100

    功率耗散PD(W)@25℃:0.300

    封装/温度(℃):SOT-723/-55~150


资料

厂商
ON Semiconductor

BC846BM3T5G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BC846BM3T5G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

BC846BM3T5G参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列*
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)65V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大265mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商设备封装SOT-723
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC846BM3T5G-NDBC846BM3T5GOSTR