时间：2025/9/13 21:13:57
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BC817-25QCZ 是一款常见的NPN型双极性晶体管（BJT），广泛应用于各种电子电路中，作为开关和放大器使用。该器件由安森美半导体（onsemi）生产，采用SOT-23（也称为SC-59）封装，适合于需要低功耗、高增益和高频率响应的应用场景。BC817系列晶体管根据电流放大系数（hFE）的不同分为多个等级，其中BC817-25表示其hFE在一定测试条件下的典型值为110。BC817-25QCZ具有良好的稳定性和可靠性，适用于工业控制、消费电子和通信设备等多种应用领域。
类型：NPN型晶体管
封装类型：SOT-23（SC-59）
最大集电极-发射极电压（VCEO）：45V
最大集电极-基极电压（VCBO）：50V
最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
电流增益（hFE）：110（最小值）
过渡频率（fT）：100MHz（典型值）
BC817-25QCZ 是一款性能稳定的NPN型晶体管，具备良好的高频响应和适中的电流放大能力。该器件的hFE（电流放大系数）在典型工作条件下为110，适用于需要中等增益的电路应用。其最大集电极-发射极电压为45V，集电极电流额定值为100mA，能够满足大多数低功率放大和开关电路的需求。此外，BC817-25QCZ 采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中布局，同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。
该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在较宽的环境温度范围内稳定工作，适用于工业级应用。BC817-25QCZ 的过渡频率（fT）为100MHz，意味着它可以在中高频范围内保持较好的放大性能，适合用于射频和数字开关电路。此外，其最大功耗为300mW，确保在连续工作状态下不会因过热而损坏。BC817-25QCZ 的基极-发射极电压（VEBO）为5V，设计时需要注意输入信号的幅度以避免损坏晶体管。
BC817-25QCZ 可广泛应用于各种电子设备和系统中，尤其适用于需要低功耗、中等增益和高频响应的场合。在数字电路中，它常被用作开关元件，用于控制LED、继电器、小型电机等负载；在模拟电路中，则可用于音频放大、信号处理等场景。此外，该晶体管还适用于电源管理、传感器接口、数据转换等工业控制和消费电子应用。由于其良好的高频特性，BC817-25QCZ 也可用于射频前端电路中的小信号放大器。
BC807-25, BC817-25, BC817-40, BC847
