晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA时为110至800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

BC808 5G 具有多个关键特性，使其在电子电路中具有广泛的应用。首先，其高频性能优异，增益带宽积达到250MHz，适合用于射频放大器和中频放大器等高频电路设计。其次，BC808 5G 提供多种电流增益等级（如hFE分为不同等级），便于工程师根据具体应用选择合适的晶体管型号，从而优化电路性能。此外，该晶体管的集电极-发射极电压（VCEO）为30V，集电极-基极电压（VCBO）为50V，具有较高的电压耐受能力，适用于中等功率放大和开关应用。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还具有良好的热稳定性和可靠性，适合在高密度PCB布局中使用。
　　BC808 5G 的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级应用。该晶体管的功耗为300mW，能够在不需额外散热片的情况下正常运行，降低了设计复杂度。同时，BC808系列晶体管的电气特性在宽温度范围内保持稳定，确保了电路的长期可靠性。由于其广泛的应用范围和良好的性能，BC808 5G 成为许多模拟和数字电路中的常用元件。

BC808 5G 主要应用于放大器电路、开关电路以及射频信号处理等领域。在音频放大电路中，BC808 5G 可用于前置放大器或功率放大器部分，提供良好的信号增益和线性度。在射频电路中，该晶体管可用于中频放大器或调制解调器中的信号放大，其高频特性使其成为理想的选择。此外，BC808 5G 也常用于数字电路中的开关应用，如驱动LED、继电器或小型电机等负载。由于其小型化的SOT-23封装，该晶体管也适用于便携式电子设备、通信模块以及传感器接口电路等场合。在无线通信系统中，BC808 5G 可作为射频前端的小信号放大器，用于增强接收信号的强度。同时，它也可用于电源管理电路中的低边开关，控制负载的通断。由于其良好的电气特性和可靠性，BC808 5G 被广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

BC847系列、BC547、2N3904、MMBT3904