晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92

BC66F850具有优异的电气性能和稳定性，适用于多种电子应用。其主要特性包括：
　　1. **高可靠性**：由于采用了成熟的制造工艺和封装技术，BC66F850在长时间运行中表现出色，适用于需要高稳定性的应用场景。
　　2. **宽电压范围**：BC66F850的集电极-发射极电压（VCEO）最大可达80V，能够适应多种电源设计需求。
　　3. **可调电流增益**：在不同工作电流下，BC66F850的电流增益（hFE）范围为110至800，使其适用于多种放大和开关电路。
　　4. **低功耗设计**：BC66F850的最大功耗为300mW，能够在较低的功耗下实现高效运行，适合电池供电设备的设计。
　　5. **广泛的工作温度范围**：从-55°C到+150°C的工作温度范围使BC66F850适用于极端环境条件下的应用。

BC66F850的多功能性使其广泛应用于以下领域：
　　1. **通用开关电路**：由于其高可靠性和低功耗特性，BC66F850常用于数字电路中的开关应用，例如继电器驱动和LED控制。
　　2. **放大器设计**：BC66F850的电流增益范围较宽，适用于音频放大器、信号放大器等低频放大电路。
　　3. **传感器接口**：在传感器电路中，BC66F850可以作为信号调节和放大元件，提高传感器的灵敏度和准确性。
　　4. **工业控制**：在工业自动化和控制系统中，BC66F850可用于控制小型电机、电磁阀和其他执行器。
　　5. **消费类电子产品**：BC66F850的经济性和稳定性使其成为许多消费类电子产品（如家用电器、玩具和照明设备）的理想选择。

BC547, 2N3904, BC635, BC66F855