BC63B239A04-IKB-E4 是 Vishay Semiconductors(威世科技)生产的一款表面贴装(SMD)射频(RF)双极型晶体管,适用于高频和超高频应用。这款晶体管基于硅(Si)技术制造,具有良好的高频性能和稳定性,广泛应用于无线通信、射频放大器、频率合成器等高频率电子设备中。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流:100 mA
最大集电极-发射极电压:30 V
最大集电极-基极电压:30 V
最大功耗:200 mW
最大工作温度:150 °C
封装类型:SOT-89
频率范围:25 MHz ~ 1.2 GHz
BC63B239A04-IKB-E4是一款适用于射频和高频应用的晶体管,具备优异的高频增益和低噪声特性,能够在高达1.2 GHz的频率范围内稳定工作。其采用SOT-89封装形式,具有较小的体积和良好的热稳定性,便于在高密度PCB设计中使用。
该晶体管的增益带宽积(fT)高达1 GHz以上,确保了在高频环境下仍能保持良好的放大性能。此外,BC63B239A04-IKB-E4在低电压供电条件下也能正常工作,适合用于低功耗射频电路设计。其低噪声系数和高线性度使其在射频接收机前端、频率合成器和本地振荡器等应用中表现出色。
该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代电子制造中的环保要求。Vishay的这一系列晶体管以其稳定性和高可靠性著称,广泛应用于通信基础设施、无线模块、工业控制系统和消费类电子产品中。
BC63B239A04-IKB-E4适用于各种高频和射频电子系统,包括无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee)、射频功率放大器、低噪声放大器(LNA)、频率合成器、本地振荡器(LO)、射频混频器以及各类高频振荡器电路。此外,它也常用于工业控制、测试测量设备和消费类电子产品的射频前端设计。
BC63B239A04-IKB-E4的替代型号包括 BC63B239A04-IKB、BC63B239A04-IKB-T、BC63B239A04-IKB-E4R 等,具体替代需根据封装、频率特性和供货情况选择。