时间：2025/8/10 17:14:34
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BC48R2020 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用高密度Cell技术，具备低导通电阻和优良的热性能，适用于高效率电源管理应用。该器件广泛用于DC-DC转换器、电池充电系统和电源开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：5.8A
导通电阻（RDS(on)）：20mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
BC48R2020 具有低导通电阻特性，使其在高电流工作条件下能够减少功率损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET采用了先进的平面技术和高密度Cell设计，确保了良好的热稳定性和可靠性。器件的栅极氧化层经过优化，具备较高的栅极稳定性，适用于高频开关应用。BC48R2020 还具备快速开关能力，降低开关损耗，并具有良好的短路耐受能力，适用于高要求的电源管理系统。其封装形式为TO-252，便于散热并适合表面贴装工艺，广泛应用于各类工业和消费类电子产品。
在电气性能方面，BC48R2020 在4.5V的栅极驱动电压下即可实现低至20mΩ的导通电阻，使其适用于低电压驱动电路，例如由微控制器或数字信号处理器直接控制的场合。同时，其最大连续漏极电流为5.8A，在适当的散热条件下可满足高负载需求。该器件的封装设计有助于提高PCB布局的灵活性，适用于紧凑型电源模块设计。
BC48R2020 主要应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电源分配系统以及电机驱动电路。此外，该MOSFET也可用于便携式设备的电源管理单元、LED照明驱动电路以及各类工业自动化控制系统中的功率开关环节。
Si2302DS, FDS6680, IRF7413, AO4406
