BC413159B10-IPK-E4是一款由Avago Technologies(安华高)生产的高性能射频功率晶体管,主要用于无线基础设施、基站放大器和工业应用中的射频功率放大。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)技术,具备高功率密度、高效率和良好的热稳定性。其封装形式为表面贴装(SMD),便于在现代高频电路中的应用。
类型:射频功率晶体管
工艺技术:GaAs(砷化镓)
最大漏极电流(Idmax):1.5 A
最大漏-源电压(Vdsmax):28 V
工作频率范围:800 MHz - 1 GHz
输出功率(Pout):15 W(典型值)
增益(Gps):15 dB(典型值)
效率(Efficiency):60%(典型值)
封装类型:表面贴装(SMD)、6引脚
工作温度范围:-40°C至+85°C
BC413159B10-IPK-E4是一款专为高功率射频应用设计的增强型晶体管。其基于GaAs技术,提供了出色的射频性能,包括高输出功率、高增益和高效的功率转换。该器件能够在800 MHz到1 GHz的频率范围内稳定工作,适用于多频段和宽带通信系统。
此外,BC413159B10-IPK-E4具有良好的热管理和高可靠性,使其在高温环境下也能保持稳定的性能。其SMD封装设计不仅节省空间,还简化了PCB布局和装配过程,适合高密度电路板的设计。该器件还具有良好的线性度和稳定性,能够满足现代通信系统对高保真信号传输的要求。
此晶体管还具备出色的抗干扰能力,能够有效减少信号失真和干扰,从而提高系统整体性能。由于其优异的电气特性和机械稳定性,该器件广泛应用于基站、无线中继器、射频测试设备和工业控制系统等关键领域。
BC413159B10-IPK-E4主要应用于以下领域:
? 无线基站和蜂窝通信基础设施
? 工业用射频功率放大器
? 测试与测量设备中的射频信号放大
? 多频段通信系统中的高功率放大模块
? 高可靠性要求的射频发射系统
HMC414MSX、CGH40010F、CMD182P3