型号：BC401M
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：1.7A @ 25°C
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω @ VGS=10V, ID=1.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω @ VGS=4.5V, ID=1.5A
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：6.5nC @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：350pF @ VDS=25V
　　开启时间（ton）：约15ns
　　关断时间（toff）：约25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

BC401M采用高性能沟槽工艺制造，具有非常低的导通电阻，这使得它在中低功率开关应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为0.18Ω，在VGS=4.5V时也仅达到0.22Ω，表明该器件在逻辑电平驱动条件下仍具备优良的导通能力，适用于由微控制器或其他低压逻辑信号直接驱动的应用场景。这种低阈值电压与低驱动电压兼容性的结合，使其非常适合用于电池供电设备中的电源开关或负载控制。
　　该器件具备快速的开关响应特性，得益于较低的栅极电荷和输入电容，BC401M可以在高频开关环境下高效运行，从而支持高频率DC-DC转换器的设计需求。同时，较小的开关延迟时间（开启约15ns，关断约25ns）有助于减少过渡过程中的能量损耗，进一步优化能效表现。此外，BC401M在高温环境下的参数漂移较小，表现出良好的热稳定性，确保在不同工作温度下仍能维持稳定的电气性能。
　　BC401M的SOT-23封装不仅体积小巧，便于集成于紧凑型PCB布局中，而且具有较好的散热性能，通过合理的PCB布线可有效将热量传导至外部环境。该封装符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。器件内部结构经过优化，具备一定的抗静电能力（ESD保护）和抗雪崩击穿能力，提升了在复杂电磁环境下的可靠性和耐用性。总体而言，BC401M是一款兼具高性能、小尺寸和高可靠性的N沟道MOSFET，适用于多种现代电子系统的功率控制需求。

BC401M常用于各类中小功率开关电源系统中，作为主开关管或同步整流管使用，尤其适合构建降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）型DC-DC转换器。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源中，BC401M可用于电池充放电管理电路或负载开关控制，实现对不同功能模块的上电时序管理和功耗优化。
　　在LED照明驱动方案中，该器件可用作恒流源的开关元件，配合电感和控制IC实现高效的LED调光与亮度调节。此外，BC401M也广泛应用于电机驱动电路，例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动中的低端开关，利用其快速响应和低导通压降优势，提升驱动效率并减少发热。
　　工业自动化设备中的传感器电源控制、继电器驱动、电磁阀开关等场合也可采用BC401M进行信号隔离与功率切换。由于其具备较强的抗干扰能力和稳定的电气特性，该器件同样适用于通信模块中的电源管理单元，如PoE（以太网供电）前端开关或接口电源控制。总之，BC401M凭借其优异的综合性能，已成为众多嵌入式系统和电源管理设计中的关键元器件之一。

2N7002K
　　FDD8858
　　AO3400