类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω @ Vgs = 4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.038Ω @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-223

BAW156LT1G MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，使其在低电压应用中表现出色。其低导通电阻特性在电源管理应用中尤为关键，因为它能够显著降低导通损耗，提高系统效率。在Vgs为4.5V时，Rds(on)仅为0.045Ω，在Vgs为10V时，Rds(on)进一步降低至0.038Ω，这种低导通电阻特性使得BAW156LT1G非常适合用于负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的功率管理。
　　该器件的SOT-223封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，确保在较高工作电流下仍能保持稳定运行。BAW156LT1G的最大漏极电流为6A，漏源电压为20V，使其适用于多种中低功率应用。其最大功率耗散为1.5W，能够在较高温度环境下稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品。
　　此外，BAW156LT1G具有良好的栅极驱动兼容性，支持常见的逻辑电平驱动器，从而简化了电路设计。其栅源电压范围为±12V，确保在各种工作条件下都能保持稳定性和可靠性。该器件还具有较高的耐用性和抗干扰能力，能够适应复杂的电磁环境。

BAW156LT1G广泛应用于多种电源管理系统，包括DC-DC转换器、负载开关、电池充电电路以及电源管理模块。在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，BAW156LT1G可用于优化电池能量管理，提高设备的续航能力。
　　在工业自动化设备中，该MOSFET可用于控制电机驱动、LED照明以及传感器电源管理。其高效率和低导通损耗特性使其成为电源管理应用中的理想选择。此外，BAW156LT1G还可用于电源适配器、UPS（不间断电源）以及电信设备中的功率转换电路，提供可靠的电源控制和管理。

Si2302DS、FDN340P、IRLML2502、NTLJD3115NLT1G