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BAW156LT1G 发布时间 时间:2025/8/13 9:12:35 查看 阅读:27

BAW156LT1G 是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术,具有低导通电阻和优异的热性能,适用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用。BAW156LT1G封装在SOT-223表面贴装封装中,便于在印刷电路板(PCB)上安装,适用于自动装配流程。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):0.045Ω @ Vgs = 4.5V
  导通电阻(Rds(on)):0.038Ω @ Vgs = 10V
  功率耗散(Pd):1.5W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-223

特性

BAW156LT1G MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术,使其在低电压应用中表现出色。其低导通电阻特性在电源管理应用中尤为关键,因为它能够显著降低导通损耗,提高系统效率。在Vgs为4.5V时,Rds(on)仅为0.045Ω,在Vgs为10V时,Rds(on)进一步降低至0.038Ω,这种低导通电阻特性使得BAW156LT1G非常适合用于负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的功率管理。
  该器件的SOT-223封装不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,确保在较高工作电流下仍能保持稳定运行。BAW156LT1G的最大漏极电流为6A,漏源电压为20V,使其适用于多种中低功率应用。其最大功率耗散为1.5W,能够在较高温度环境下稳定运行,适用于工业级和消费类电子产品。
  此外,BAW156LT1G具有良好的栅极驱动兼容性,支持常见的逻辑电平驱动器,从而简化了电路设计。其栅源电压范围为±12V,确保在各种工作条件下都能保持稳定性和可靠性。该器件还具有较高的耐用性和抗干扰能力,能够适应复杂的电磁环境。

应用

BAW156LT1G广泛应用于多种电源管理系统,包括DC-DC转换器、负载开关、电池充电电路以及电源管理模块。在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,BAW156LT1G可用于优化电池能量管理,提高设备的续航能力。
  在工业自动化设备中,该MOSFET可用于控制电机驱动、LED照明以及传感器电源管理。其高效率和低导通损耗特性使其成为电源管理应用中的理想选择。此外,BAW156LT1G还可用于电源适配器、UPS(不间断电源)以及电信设备中的功率转换电路,提供可靠的电源控制和管理。

替代型号

Si2302DS、FDN340P、IRLML2502、NTLJD3115NLT1G

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