BAW156DW是一款双极型晶体管(BJT)阵列集成电路,由两个独立的NPN晶体管组成。该器件主要用于需要高频率和低功耗的模拟和数字电路应用。BAW156DW采用TSSOP封装形式,具有较小的尺寸,适合用于空间受限的设计。每个晶体管具有较高的电流增益和较快的开关特性,使其成为理想的通用晶体管阵列选择。
晶体管类型:NPN x2
集电极-发射极电压(VCEO):100V
集电极电流(IC):100mA
功率耗散(PD):300mW
过渡频率(fT):100MHz
电流增益(hFE):110-800(根据工作条件)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TSSOP
高电流增益范围:BAW156DW的每个晶体管提供110至800的电流增益范围,适用于不同放大需求的电路设计。
优异的高频性能:该器件的过渡频率(fT)为100MHz,使其适用于高频信号放大和高速开关应用。
低功耗操作:晶体管设计优化了功耗,确保在低电压和低电流条件下仍能稳定运行。
TSSOP封装:采用TSSOP封装形式,节省空间,适合高密度PCB布局,并提供良好的热性能和电气性能。
宽工作温度范围:支持从-55°C到+150°C的工作温度范围,适用于工业和汽车等苛刻环境。
集成双晶体管结构:两个独立的NPN晶体管集成在一个芯片上,减少外部元件数量并提高设计灵活性。
通用放大电路:适用于音频和射频信号放大器设计。
逻辑电路和开关电路:用于数字电路中的电平转换、缓冲和驱动电路。
传感器接口:可用于传感器信号的放大和调节电路。
工业控制设备:适合在工业自动化设备中用于信号处理和控制功能。
消费类电子产品:由于其小尺寸和高性能,广泛用于手机、便携式设备和小型电子模块中。
BAW156W, BAW156DS, BCW29S