类型：双二极管阵列
　　配置：串联连接
　　最大正向电流：100 mA
　　峰值反向电压：100 V
　　正向电压（IF=10mA）：1.25 V（最大）
　　反向漏电流（VR=30V）：100 nA（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（TO-236AB）

BAV99LTIAT具备多个显著的电气和物理特性，使其在各类电子电路中表现出色。首先，其双二极管结构采用串联配置，适用于需要多个二极管集成的电路设计，减少了PCB板上的空间占用，提高了电路集成度。其次，BAV99LTIAT的正向压降较低，在10mA正向电流下最大仅为1.25V，这意味着在信号整流和开关应用中可以减少功耗并提高能效。此外，该器件具有较高的反向击穿电压（100V），确保在较高电压环境下仍能稳定工作，增强了系统的可靠性和安全性。
　　BAV99LTIAT采用了先进的硅外延工艺制造，具有良好的热稳定性和抗热冲击能力，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适用于极端环境条件下的应用，如汽车电子和工业控制系统。同时，其SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于自动化生产和表面贴装，而且具有良好的机械强度和电气性能，适合高密度组装。
　　此外，BAV99LTIAT的反向漏电流在30V反向电压下最大仅为100nA，表明其在高阻断状态下具有优异的绝缘性能，有助于减少电路中的静态功耗和信号干扰。这使得BAV99LTIAT非常适合用于低功耗、高精度的模拟和数字电路中。

BAV99LTIAT广泛应用于多个电子领域。在通信系统中，该器件可用于射频信号的整流和检测，确保信号传输的稳定性与准确性。在电源管理系统中，BAV99LTIAT可用于电压钳位、极性保护和反向电流阻断等功能，提升系统的安全性和可靠性。在便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，BAV99LTIAT凭借其小型化封装和高效能表现，常用于电池充电保护、信号切换和电压转换等关键电路中。
　　此外，BAV99LTIAT也适用于工业控制设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和继电器驱动电路，提供稳定的二极管功能支持。在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电系统、照明控制和车载娱乐系统，满足汽车环境对温度和可靠性的严苛要求。

BAV99LT1G, BAV99W, BAV99T