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BAV99LT1 发布时间 时间:2025/5/23 4:59:46 查看 阅读:1

BAV99LT1是一种小型化的双二极管芯片,广泛应用于各种电子电路中。该器件采用SOT-363封装形式,具有低电容、高开关速度和低反向漏电流的特性,适合高频信号处理和保护电路的应用场景。
  这种双二极管设计使其能够在一个小型封装内同时实现两个独立二极管的功能,从而减少PCB空间占用并提高集成度。

参数

类型:双二极管
  封装:SOT-363
  最大正向电流:200 mA
  峰值反向电压:70 V
  正向电压:约0.85 V(@ 5 mA)
  反向漏电流:最大1 nA(@ 25°C)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  电容:约4 pF(典型值)

特性

BAV99LT1的主要特性包括:
  1. 小型化封装,节省PCB空间。
  2. 高速开关性能,适用于高频信号处理。
  3. 低反向漏电流,确保在低功耗应用中的高效性。
  4. 双二极管集成设计,减少了外部元件数量。
  5. 宽工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
  6. 具有良好的ESD防护能力,可保护敏感电路免受静电损坏。

应用

BAV99LT1适用于多种电子设备中的电路保护和信号处理:
  1. 数据线保护,例如USB端口和其他高速数据接口。
  2. ESD防护,在敏感电路中提供额外的静电放电保护。
  3. 高频信号切换,用于无线通信模块或射频电路。
  4. 耦合与解耦功能,在音频或视频信号传输中起到隔离作用。
  5. 电源管理中的箝位保护,防止过压对后级电路的影响。
  6. 各种工业控制和消费类电子产品中的保护电路设计。

替代型号

BAV99W, BAV99

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BAV99LT1参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 150mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电2.5µA @ 70V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)215mA(DC)
  • 电压 - (Vr)(最大)70V
  • 反向恢复时间(trr)6ns
  • 二极管类型标准
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称BAV99LT1OSCT