晶体管类型：NPN/PNP双晶体管
　　最大集电极电流：100mA（每个晶体管）
　　最大集电极-发射极电压：100V（NPN），100V（PNP）
　　最大功耗：300mW
　　增益带宽：100MHz（NPN），80MHz（PNP）
　　电流增益（hFE）：最小110（@10mA集电极电流）
　　封装类型：SOT-26

BAV3004W-R1-00001 晶体管阵列具备优异的匹配性和稳定性，适用于需要高可靠性的应用场合。该器件的 NPN 和 PNP 晶体管在同一封装内实现了电气隔离，能够简化电路设计并减少PCB布局空间。其高增益带宽特性使其适用于高频开关和模拟放大电路。此外，该器件的功耗较低，适合电池供电设备使用。
　　在电气特性方面，BAV3004W-R1-00001 提供了较高的集电极-发射极击穿电压（100V），能够在较高电压环境下稳定运行。每个晶体管的最大集电极电流为100mA，足以满足多数低功率应用需求。电流增益（hFE）在不同工作条件下保持稳定，确保了电路的线性放大性能。
　　热性能方面，该器件的总功耗限制为300mW，有助于在紧凑型设计中保持良好的散热能力。SOT-26 封装提供了良好的热管理性能，并增强了机械稳定性，使其适用于各种工业和汽车应用环境。

BAV3004W-R1-00001 主要用于信号放大、电平转换、逻辑接口和驱动控制电路。它在消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）、汽车控制系统（如车身控制模块、传感器接口）以及工业设备（如PLC、传感器和执行器控制）中都有广泛应用。其双晶体管结构特别适合用于互补输出级设计，如音频放大器的输出级和H桥驱动电路。

BC857B, BCP69-10, 2N3904/2N3906对管组合