BAV21WT3 时间：2025/8/16 23:40:32 阅读：5

BAV21WT3是一款双极型晶体管（NPN/PNP组合），由安森美半导体（ON Semiconductor）生产，适用于广泛的模拟和数字电路应用。该器件采用SOT-23-6小型封装，具备优良的电气性能和热稳定性，适合在空间受限的高密度电路设计中使用。BAV21WT3内部集成了一个NPN和一个PNP晶体管，两个晶体管的基极、发射极和集电极分别引出，允许用户灵活配置电路结构。

参数

晶体管类型：NPN/PNP组合
　　封装类型：SOT-23-6
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：NPN：30V，PNP：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗：300mW
　　频率响应：100MHz（典型值）
　　直流电流增益（hFE）：110 @ Ic=2mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

BAV21WT3具有多种电气和物理特性，使其适用于多种电子电路设计。首先，其双晶体管结构提供了高度的电路集成性，能够减少PCB板上分立元件的数量，从而简化设计并提高系统可靠性。其次，该器件的最大工作电压为30V，适用于中等功率应用，如信号放大和开关控制。
　　在高频应用方面，BAV21WT3具备100MHz的频率响应，能够支持高速开关和射频信号处理。此外，该器件的直流电流增益（hFE）在2mA测试电流下可达110，确保了良好的信号放大能力，适用于前置放大器、驱动器电路等场景。
　　由于其采用SOT-23-6封装，BAV21WT3具备良好的热稳定性与散热性能，同时适合表面贴装工艺，有助于提高生产效率和降低制造成本。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其适用于恶劣环境下的工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
　　综上所述，BAV21WT3以其集成度高、性能稳定、封装小巧等优点，成为众多通用模拟和数字电路设计中的优选器件。

应用

BAV21WT3广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要双晶体管协同工作的电路中。典型应用包括音频放大器的输入级或驱动级、射频（RF）开关电路、电平转换器、缓冲器、振荡器以及逻辑门电路的设计。由于其NPN和PNP晶体管的配对特性，BAV21WT3特别适合用于互补推挽式放大器或H桥驱动电路中，如直流电机控制、LED驱动和电源管理模块。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载控制模块、传感器接口电路和通信系统。在工业自动化中，BAV21WT3可作为继电器驱动器、光电耦合器的接口电路以及信号调节模块的核心元件。此外，由于其低功耗和小型化优势，BAV21WT3也常见于便携式电子产品、智能家居设备和物联网（IoT）节点的设计中。