时间：2025/8/14 19:45:49
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BAV21WS-AU_R1_000A1 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的表面贴装双列直插（SOT-23）封装的高频小信号双极性晶体管（BJT）。该器件属于 NPN 型晶体管，专为射频（RF）和高速开关应用设计。由于其高频性能和小型封装，BAV21WS-AU_R1_000A1 广泛应用于无线通信、消费电子和工业控制系统中。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
过渡频率（fT）：250 MHz
直流电流增益（hFE）：110 @ Ic=2 mA, Vce=5 V
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
BAV21WS-AU_R1_000A1 具备出色的高频性能，过渡频率（fT）高达 250 MHz，使其非常适合用于射频放大器和高速开关电路。该晶体管的 hFE（直流电流增益）在典型工作条件下可达到 110，确保了良好的信号放大能力。
此外，该器件采用 SOT-23 小型表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计，并有助于提高自动化生产的效率。其最大集电极电流为 100 mA，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 30 V，具备良好的电压承受能力。
该晶体管的功耗为 300 mW，能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于各种工业和消费类应用环境。BAV21WS-AU_R1_000A1 的设计还考虑了热稳定性和长期可靠性，适合用于对性能和稳定性要求较高的电子系统。
BAV21WS-AU_R1_000A1 主要应用于射频前端模块、无线通信设备、低噪声放大器（LNA）、高速开关电路、传感器接口电路以及消费类电子产品中的信号放大和处理。由于其高频特性和小型封装，它也常用于便携式设备和嵌入式系统中。此外，该晶体管还可用于工业控制、测试仪器和汽车电子系统中，提供稳定的信号处理和放大功能。
BC847 NPN, 2N3904, BSS84
