BAT64W是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)制造的高性能射频(RF)双刀双掷(DPDT)开关。该器件适用于需要高线性度和低插入损耗的无线通信系统,如基站、无线基础设施、测试设备和工业控制系统。BAT64W采用硅基CMOS工艺制造,提供优异的热稳定性和可靠性。其封装形式通常为24引脚QFN,适合表面贴装。
工作频率范围:0.1 GHz - 6 GHz
插入损耗(典型值):0.3 dB @ 2 GHz
隔离度(典型值):30 dB @ 2 GHz
VSWR(典型值):1.2:1
功率处理能力:30 dBm
控制电压:2.7 V - 5.5 V
工作温度范围:-40°C 至 +105°C
封装类型:24引脚QFN
BAT64W具备出色的射频性能,包括低插入损耗和高隔离度,使其非常适合用于多频段通信系统。该器件具有良好的线性度和低失真,能够支持高功率信号切换而不影响信号完整性。此外,BAT64W支持宽频率范围,适用于从蜂窝通信到微波频段的各种应用。其CMOS工艺确保了器件在高温和高功率条件下的稳定性,并且具有良好的ESD保护能力,增强了器件的耐用性。该开关的控制逻辑兼容3.3V和5V系统,便于集成到现有设计中。
BAT64W广泛应用于无线基础设施设备,如宏基站和小型基站、射频测试仪器、工业自动化控制系统、多频段通信设备以及需要高可靠性和高性能的射频切换场景。
HMC649ALP3E, PE42642, SKY13417-345LF