BAT54WS T/R 时间：2025/8/15 3:41:04 阅读：5

BAT54WS T/R 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一种双电压控制型双极晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），采用SOT-363封装形式。该器件是一种PNP型晶体管，广泛应用于需要高稳定性和高频性能的电路中，例如射频（RF）放大器、电压调节电路以及信号切换电路等。BAT54WS T/R 的主要特点是低饱和电压、高增益带宽积以及良好的温度稳定性，使其适用于各种中低功率电子系统。

参数

晶体管类型：PNP
　　封装类型：SOT-363
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：100V
　　最大基极电流：5mA
　　功耗：300mW
　　增益带宽积：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

BAT54WS T/R 是一款高性能的双极晶体管，具有多种优异的电气和热特性，适用于高频和中功率应用。
　　首先，BAT54WS T/R 具有较低的饱和电压（VCE(sat)），在最大额定电流下通常低于300mV，这有助于降低功耗并提高效率。这使得它在需要低功耗和高可靠性的应用中表现优异，例如电池供电设备和节能型电源管理电路。
　　其次，该晶体管的增益带宽积高达250MHz，能够在高频应用中保持良好的信号放大性能。这使得BAT54WS T/R 适用于射频（RF）信号放大、振荡器和混频器等高频电路设计。此外，其电流增益（hFE）范围为110至800，具有较宽的可调范围，便于电路设计者根据具体应用需求进行优化。
　　再者，BAT54WS T/R 采用SOT-363封装，具有良好的热稳定性和机械稳定性。该封装形式支持表面贴装技术（SMT），适用于自动化生产流程，提高生产效率和装配可靠性。同时，该器件的工作温度范围为-55°C 至 +150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和航空航天等高要求的应用领域。
　　最后，BAT54WS T/R 的设计考虑了高可靠性和长寿命，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击。这使得它在需要长期稳定运行的系统中表现出色，如通信设备、医疗仪器和测试测量仪器。

应用

BAT54WS T/R 广泛应用于多个电子领域。在射频（RF）电路中，它常用于低噪声放大器、混频器和振荡器的设计，提供稳定和高效的信号处理能力。在电源管理方面，BAT54WS T/R 可用于构建低功耗稳压电路、电池充电控制电路以及负载开关控制电路，提升系统的整体效率。此外，在工业控制系统中，该晶体管可用于构建高精度的传感器信号调理电路、电机驱动电路以及继电器控制电路。在汽车电子系统中，BAT54WS T/R 常用于车载音响、仪表盘控制系统和车载通信模块，确保在复杂电磁环境下仍能稳定运行。此外，该器件还适用于测试测量设备、医疗仪器和消费类电子产品中的信号处理和功率控制应用。