时间：2025/8/14 12:29:30
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BAT54TB_R1_00001是一款由ROHM Semiconductor生产的双路双极型晶体管（双NPN晶体管）阵列。该器件采用了小型化封装技术，适用于空间受限的应用场合。BAT54TB_R1_00001具有高性能和可靠性，广泛应用于放大器、开关电路和通用逻辑电路中。
类型：双NPN晶体管阵列
集电极-发射极电压（VCEO）：100V
集电极电流（IC）：100mA
功率耗散：200mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-563
BAT54TB_R1_00001采用双晶体管设计，使得在单个封装中可以实现多个电路功能，从而减少了PCB的空间占用和成本。其高集电极-发射极电压（VCEO）为100V，适合中高压应用。器件的集电极电流为100mA，能够支持多种负载需求。该晶体管的功率耗散为200mW，确保在正常工作条件下的稳定性和可靠性。
该器件的封装形式为SOT-563，这是一种小型化的表面贴装封装，适用于自动化装配流程。其工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端环境下正常工作。此外，BAT54TB_R1_00001的高可靠性和耐用性使其成为工业控制、消费电子和汽车电子等领域的理想选择。
BAT54TB_R1_00001主要用于放大器电路、开关电路以及通用逻辑电路。由于其双晶体管设计和高可靠性，它常用于需要高集成度和空间受限的应用，如便携式电子设备、传感器接口电路以及各种控制模块。
BC847BDSX-7-F, MMBT3904LT1G, 2N3904
