BAT54SW-L 是一款由 Nexperia(原恩智浦半导体的小信号部门)生产的双通道双极性结型晶体管(BJT)阵列。这款器件包含两个独立的PNP晶体管,采用SOT363(TSSOP)封装,适用于需要高密度和低功耗的应用。BAT54SW-L 以其小尺寸和高性能广泛应用于便携式设备、信号处理、逻辑电平转换以及接口电路中。
晶体管类型:双PNP晶体管
封装类型:SOT363(TSSOP)
最大集电极电流(IC):100 mA
最大集电极-发射极电压(VCE):100 V
最大集电极-基极电压(VCB):100 V
最大功耗(PD):300 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
增益带宽积(fT):100 MHz
电流增益(hFE):110(最小)@ IC=2 mA, VCE=5V
BAT54SW-L 是一款高集成度的双PNP晶体管器件,具有多个关键特性使其适用于各种电子应用。该器件采用了先进的晶体管制造工艺,具有出色的稳定性和可靠性,能够在广泛的温度范围内保持稳定的工作性能。其封装采用SOT363(TSSOP)形式,具有较小的尺寸,适合高密度PCB布局,适用于便携式和空间受限的应用场景。
每个晶体管的集电极最大电流为100 mA,集电极-发射极和集电极-基极的击穿电压均达到100 V,使其能够承受较高的电压应力,适用于多种电压转换和信号处理应用。该器件的电流增益(hFE)在2 mA集电极电流和5 V集电极-发射极电压条件下最低为110,表现出良好的信号放大能力。
BAT54SW-L 的功耗为300 mW,在高频率工作条件下仍能保持较低的功耗,适用于节能型设计。其100 MHz的增益带宽积(fT)确保了在高频信号处理中的良好性能,可用于射频和高速数字电路的信号放大与开关控制。
此外,该器件的制造符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺,并具有良好的热稳定性,能够在高温环境下长期运行而不会显著影响性能。
BAT54SW-L 的双PNP晶体管结构使其广泛应用于多个电子系统领域。在便携式电子产品中,它常用于电源管理和信号处理电路,例如电池供电设备中的电压转换和负载开关控制。在数字电路中,BAT54SW-L 可用于构建电平转换器,将低电压数字信号转换为较高电压信号以驱动外围设备。
由于其高电压耐受能力,BAT54SW-L 还可用于传感器接口电路,将传感器输出的小信号进行放大或开关控制。此外,在射频(RF)模块中,该器件可用于低噪声放大器或信号调制电路,提供良好的高频响应和稳定性。
该器件也常用于音频放大电路、LED驱动、继电器驱动以及继电器或马达的缓冲控制。其SOT363封装形式使其适用于自动化贴片工艺,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
BC847BDSX, BC856B, MMBT3906, BC807-40