BAT54RSLT1 /LD3 时间：2025/8/13 7:13:43 阅读：19

BAT54RSLT1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双P沟道增强型MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于低电压和低功耗应用。该器件具有两个独立的P沟道MOSFET，每个MOSFET都可以独立控制，适用于负载开关、电平转换、电源管理等场景。由于其低导通电阻（RDS(on)）和小封装尺寸，BAT54RSLT1 广泛应用于便携式电子设备和空间受限的设计中。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：-8V
　　连续漏极电流（ID）：-100mA
　　RDS(on)：最大值为3Ω（在VGS = -4.5V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

BAT54RSLT1 的主要特性之一是其双P沟道MOSFET结构，允许两个独立的通道进行控制，适用于需要多个开关的应用。该器件具有较低的导通电阻，在VGS为-4.5V时RDS(on)最大为3Ω，从而减少了导通状态下的功率损耗。
　　此外，BAT54RSLT1 的工作电压范围较宽，漏源电压可达-20V，适合多种低压应用。其栅极驱动电压范围为-8V，确保了良好的开关性能。器件采用SOT-23封装，尺寸小巧，适合高密度PCB布局。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和可靠性，可在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费级电子产品。其低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备，有助于延长设备的续航时间。
　　由于其内置的两个MOSFET可以独立工作，BAT54RSLT1 也可以用于构建电平转换电路，适用于不同电压域之间的信号转换。此外，其快速的开关响应时间也有助于提高系统的整体效率。

应用

BAT54RSLT1 主要用于以下应用领域：便携式电子设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑和穿戴设备中的负载开关控制；电平转换电路，用于不同电压域之间的信号转换；低功耗逻辑电路中的开关元件；工业控制系统中的小型继电器替代方案；以及用于电池供电设备中的节能开关控制。
　　由于其双通道结构，BAT54RSLT1 也适用于需要多个独立控制通道的场合，例如LED背光控制、传感器电源控制和DC-DC转换器中的同步整流。其SOT-23封装也使其非常适合空间受限的应用场景。