BAT54RLT1G是一款由ON Semiconductor生产的双P-N结肖特基势垒二极管,采用SOT-23封装形式。该器件具有低正向压降和快速开关特性,适用于高频开关电路和电源管理系统。其额定工作温度范围为-55°C至150°C,适合工业和汽车电子应用。
类型:肖特基二极管
配置:双二极管(共阴极)
最大正向电流(IF):200 mA
最大反向电压(VR):30 V
正向电压(VF):最大1.1 V(在IF=100 mA时)
反向漏电流(IR):最大100 nA(在VR=30 V时)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-23
BAT54RLT1G具有双P-N结结构,适用于需要低正向压降和快速恢复时间的应用场景。该器件的肖特基二极管设计使其在高频条件下具有优异的性能,同时共阴极配置有助于简化电路布局。此外,BAT54RLT1G的SOT-23封装形式提供了良好的热性能和空间效率,适合高密度PCB设计。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于严苛环境下的应用,例如汽车电子系统和工业控制设备。
该器件的低正向压降有助于减少功耗,提高整体能效,而快速开关特性则使其适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理模块。BAT54RLT1G的封装符合RoHS标准,支持环保设计。
BAT54RLT1G广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电池供电设备、汽车电子系统、便携式电子产品以及高频整流电路。其低正向压降和快速开关特性也使其适用于LED驱动电路和负载开关应用。
BAT54C, BAT54S, BAS516, 1N5819