BAT54RCLT1G 时间：2025/8/13 15:09:34 阅读：31

BAT54RCLT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双共阴极硅肖特基二极管阵列。该器件专为高速开关应用而设计，具有低正向压降和快速恢复时间的特点，适用于多种模拟和数字电路中的信号整流、保护和箝位功能。

参数

类型：肖特基二极管
　　配置：双共阴极
　　最大正向电流：300 mA（每管）
　　最大反向电压：30 V（每管）
　　正向电压降：最大 0.35 V @ 100 mA
　　反向漏电流：最大 100 nA @ 25°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

BAT54RCLT1G 的核心特性在于其双共阴极结构，允许两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极端子，从而节省PCB空间并简化电路设计。该器件的低正向电压降（Vf）使其在低功耗应用中表现优异，特别适用于电池供电设备和高效能电源管理系统。
　　此外，BAT54RCLT1G 具有快速恢复时间（trr），通常小于 5 ns，适用于高频开关应用。该器件的反向漏电流非常低，确保在高温环境下仍能保持良好的稳定性。其SOT-23封装形式适合表面贴装工艺，符合RoHS环保标准。
　　在可靠性方面，BAT54RCLT1G 具有较高的热稳定性和抗静电能力，能够在恶劣环境中稳定工作。该器件广泛用于信号整流、电压箝位、极性保护、逻辑电平转换以及电池反接保护等应用场景。

应用

BAT54RCLT1G 肖特基二极管常用于以下领域：
　　1. 便携式电子设备中的电源管理与电池保护；
　　2. USB接口的极性保护和信号整流；
　　3. 高频整流和箝位电路；
　　4. 数字电路中的逻辑电平转换；
　　5. DC-DC转换器和负载开关中的续流二极管；
　　6. 通信设备中的信号保护与隔离。