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BAT54RCLT1G 发布时间 时间:2025/8/13 15:09:34 查看 阅读:29

BAT54RCLT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双共阴极硅肖特基二极管阵列。该器件专为高速开关应用而设计,具有低正向压降和快速恢复时间的特点,适用于多种模拟和数字电路中的信号整流、保护和箝位功能。

参数

类型:肖特基二极管
  配置:双共阴极
  最大正向电流:300 mA(每管)
  最大反向电压:30 V(每管)
  正向电压降:最大 0.35 V @ 100 mA
  反向漏电流:最大 100 nA @ 25°C
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

BAT54RCLT1G 的核心特性在于其双共阴极结构,允许两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极端子,从而节省PCB空间并简化电路设计。该器件的低正向电压降(Vf)使其在低功耗应用中表现优异,特别适用于电池供电设备和高效能电源管理系统。
  此外,BAT54RCLT1G 具有快速恢复时间(trr),通常小于 5 ns,适用于高频开关应用。该器件的反向漏电流非常低,确保在高温环境下仍能保持良好的稳定性。其SOT-23封装形式适合表面贴装工艺,符合RoHS环保标准。
  在可靠性方面,BAT54RCLT1G 具有较高的热稳定性和抗静电能力,能够在恶劣环境中稳定工作。该器件广泛用于信号整流、电压箝位、极性保护、逻辑电平转换以及电池反接保护等应用场景。

应用

BAT54RCLT1G 肖特基二极管常用于以下领域:
  1. 便携式电子设备中的电源管理与电池保护;
  2. USB接口的极性保护和信号整流;
  3. 高频整流和箝位电路;
  4. 数字电路中的逻辑电平转换;
  5. DC-DC转换器和负载开关中的续流二极管;
  6. 通信设备中的信号保护与隔离。

替代型号

BAT54W, BAT54S, 1N5819, BAS70-04

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