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BAT54LS-QYL 发布时间 时间:2025/9/13 20:56:31 查看 阅读:32

BAT54LS-QYL是一款由Nexperia(原恩智浦半导体分拆出的公司)生产的双P通道增强型MOSFET,专为低电压和低功率应用设计。该器件采用Trench MOSFET技术,具有极低的导通电阻(RDS(on)),能够在有限的功率消耗下实现高效的功率管理。BAT54LS-QYL采用SOT457(TSOP)封装,适用于空间受限的便携式电子设备。

参数

类型:P通道MOSFET
  漏源电压(VDS):-20V
  栅源电压(VGS):±8V
  连续漏极电流(ID):-4.3A(@VGS=4.5V)
  导通电阻(RDS(on)):34mΩ(@VGS=4.5V)
  阈值电压(VGS(th)):-0.85V至-2.0V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装:SOT457

特性

BAT54LS-QYL具有多个关键特性,使其在低电压功率管理应用中表现出色。
  首先,该器件采用了先进的Trench MOSFET技术,显著降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。其RDS(on)值在VGS=4.5V时仅为34mΩ,适用于低电压电池供电设备。
  其次,BAT54LS-QYL支持-20V的漏源电压(VDS)和±8V的栅源电压(VGS),提供了良好的电压耐受能力。其连续漏极电流为-4.3A,在低电压环境下能够提供足够的电流支持,适用于多种功率控制应用。
  此外,该器件的栅极阈值电压范围为-0.85V至-2.0V,允许使用较低的栅极驱动电压,进一步降低功耗,并与低压微控制器或电源管理IC兼容。其SOT457(TSOP)封装结构紧凑,节省PCB空间,适用于高密度电路设计。
  最后,BAT54LS-QYL符合RoHS标准,具备高可靠性,并且在-55°C至150°C的工作温度范围内保持稳定性能,适用于工业级和汽车级应用环境。

应用

BAT54LS-QYL广泛应用于低功耗、小型化的电子设备中,如移动电话、平板电脑、可穿戴设备、电源管理模块以及电池供电系统。它适用于负载开关、DC-DC转换器、电机控制、LED驱动器以及各种低电压功率调节电路。其高效率和低导通损耗特性使其成为便携式设备中理想的功率管理元件。

替代型号

Si3442DV, BSS84, DMG9435U

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BAT54LS-QYL参数

  • 现有数量9,134现货
  • 价格1 : ¥2.78000剪切带(CT)10,000 : ¥0.36054卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)800 mV @ 100 mA
  • 速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr)5 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏2 μA @ 25 V
  • 不同?Vr、F 时电容10pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-882
  • 供应商器件封装DFN1006BD-2
  • 工作温度 - 结150°C