时间:2025/12/27 18:14:19
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BAT54JFILMC是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL小型封装。该器件集成了两个独立的肖特基二极管,采用共阴极配置,广泛应用于需要低正向压降和快速开关响应的电路中。由于其优异的高频性能和低功耗特性,BAT54JFILMC在现代便携式电子设备和高密度PCB设计中备受青睐。该二极管特别适用于信号整流、电压钳位、反向极性保护以及电源管理等场景。其小尺寸封装不仅节省了宝贵的电路板空间,还提高了系统集成度。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-free)特性,满足当前电子产品对环境友好型元器件的要求。BAT54JFILMC在制造过程中采用了先进的芯片键合技术,确保了稳定的电气性能和长期可靠性。它的工作温度范围宽,适合在各种工业和消费类应用环境中稳定运行。
类型:双串联肖特基二极管
配置:共阴极
封装:SOD-123FL
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大平均整流电流(IO):200mA
最大正向电压(VF):820mV @ 100mA, 25°C
最大反向漏电流(IR):1μA @ 25°C, 25V
最大反向恢复时间(trr):4ns
功率耗散(PD):250mW
引脚数:2
安装类型:表面贴装(SMT)
湿度敏感等级(MSL):1级(260°C,无限时间)
BAT54JFILMC所采用的肖特基势垒结构赋予了其显著低于传统PN结二极管的正向导通压降。在典型工作条件下,其正向压降仅为约820mV(在100mA时),这有效降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统整体能效。尤其在电池供电设备中,这种低功耗特性有助于延长电池使用寿命。此外,低VF特性减少了热量产生,从而降低了对散热设计的需求,有利于实现更紧凑的产品设计。
该器件具备极快的反向恢复时间(trr),典型值仅为4ns,使其非常适合用于高频开关电路,如开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器中的续流或箝位应用。快速的开关响应能力可以减少开关过程中的能量损失,并降低电磁干扰(EMI)的产生,提升系统的稳定性与效率。
BAT54JFILMC采用SOD-123FL超小型表面贴装封装,外形尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 1.0mm,极大地节省了PCB布局空间,适用于高密度组装的移动设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。同时,该封装具有良好的热传导性能和机械强度,能够在回流焊工艺中保持稳定,支持自动化大批量生产。
该二极管具有较高的反向击穿电压裕度和稳定的漏电流表现,在25V反向电压下最大漏电流仅为1μA,保证了在待机或低功耗模式下的电路安全性。其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)使其不仅适用于常规消费电子,也能在较为严苛的工业控制、汽车电子等环境中可靠运行。此外,器件通过AEC-Q101认证的可能性较高(需查证具体批次),进一步拓展了其在车载应用中的潜力。
BAT54JFILMC广泛应用于多种电子系统中,特别是在对空间和能效有严格要求的设计中表现出色。常见应用包括便携式电子设备中的电源路径管理,例如在USB接口或电池充电电路中用作防反接和电压隔离元件。其低正向压降和快速响应特性使其成为理想的选择。
在信号处理电路中,该器件可用于高频信号的检波、整流和限幅,例如在射频前端模块或音频信号路径中防止过压损坏后续集成电路。此外,在数字逻辑电路中,BAT54JFILMC常被用于电平移位和信号钳位,保护微控制器或FPGA的输入引脚免受静电放电(ESD)或瞬态电压冲击。
在DC-DC转换器拓扑结构中,如升压(Boost)或反激式(Flyback)电路中,BAT54JFILMC可用作续流二极管或输出整流二极管,利用其快速恢复特性提高转换效率并减少开关噪声。其双共阴极结构允许在一个封装内实现两个独立功能,简化了PCB布线并减少了元件数量。
此外,该器件也适用于各类传感器接口电路、LED驱动电路中的保护单元,以及工业控制系统中的信号调理模块。由于其符合环保标准且可靠性高,也被广泛用于医疗设备、智能家居产品和物联网终端设备中。
BAT54J-7-F\nRB751S-40\nBAT54CWSFXV2L\nDSK24