型号：BAT54HMT116
　　制造商：ON Semiconductor
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-59)
　　配置：双二极管共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30 V
　　最大直流阻断电压（VR）：30 V
　　最大平均整流电流（IO）：200 mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：500 mA
　　最大正向压降（VF）：@ IF = 10mA: 0.36 V; @ IF = 100mA: 0.55 V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR = 25V, 25°C: 0.1 μA; @ VR = 25V, 125°C: 100 μA
　　反向恢复时间（trr）：< 1 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C

BAT54HMT116的核心优势在于其优异的电气性能与小型化封装的结合，使其成为众多中低功率模拟和数字电路中的理想选择。首先，该器件的低正向压降显著降低了能量损耗，尤其在电池供电设备中可延长续航时间。例如，在USB接口的数据线保护电路中，BAT54HMT116可用于ESD防护和信号箝位，当数据电压超过电源轨时，二极管迅速导通将多余电荷泄放至VCC，避免后级IC受损。由于其正向压降低于传统二极管，不会对正常信号电平造成明显衰减，保证了信号完整性。
　　其次，极快的反向恢复时间使BAT54HMT116非常适合高频开关应用，如开关电源中的续流二极管或逻辑电平转换电路。在高速数字系统中，常用于防止不同电压域之间的电流倒灌。例如，在I2C或多主控总线系统中，利用其单向导通特性实现电平隔离与双向传输控制。此外，共阴极结构允许两个通道共享同一个参考地或电源节点，简化PCB布局布线，减少寄生电感影响。
　　热稳定性方面，该器件可在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠运行，适应严苛环境下的工业控制与汽车电子应用。虽然额定平均整流电流为200mA，但在良好散热条件下仍能承受瞬态大电流冲击，具备一定的过载能力。其小尺寸SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的机械强度和焊接可靠性，适用于回流焊和波峰焊工艺。总体而言，BAT54HMT116凭借其高性能、高集成度和高可靠性，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

BAT54HMT116广泛应用于多种电子系统中，主要集中在便携式设备、通信接口保护、电源管理及信号调理等领域。在移动终端如智能手机和平板电脑中，常用于USB、HDMI等高速接口的静电放电（ESD）保护电路，通过将瞬态高压引导至电源或地线来保护敏感的前端芯片。在电源管理系统中，该器件可用作OR-ing二极管，实现多电源输入的选择与切换，例如在主电池与备用电池之间自动切换供电路径，确保系统持续运行。
　　在DC-DC转换器或LDO稳压电路中，BAT54HMT116可作为辅助箝位二极管，抑制电感反冲电压，防止电压反向击穿控制IC。其快速响应特性还能有效抑制开关噪声传播，提高电源纯净度。此外，在微控制器单元（MCU）的复位电路或看门狗定时器中，可用于构建延迟网络或电压检测节点，确保上电过程平稳可靠。
　　在数字逻辑电路中，该二极管常被用于电平移位或总线隔离设计，特别是在不同电压域（如1.8V与3.3V）之间进行信号传递时，能够防止电流倒流并维持正确的逻辑电平。在传感器接口电路中，也可用于信号限幅，避免输入信号超出ADC采样范围而导致损坏。另外，因其出色的高频特性，BAT54HMT116也被用于射频前端模块中的偏置电路或检波电路，提供稳定的直流偏置路径而不影响交流信号传输。综上所述，其多功能性使其在消费电子、工业控制、汽车电子及通信基础设施中均有广泛应用。

BAT54HC, BAV99, BAT54C, SMBD54H, PMEG2010EH