类型：双串联肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　封装/外壳：SOT-363（SC-88）
　　反向电压（V_R）：30V
　　平均整流电流（I_O）：200mA
　　峰值正向电流（I_FM）：500mA
　　正向压降（V_F）：@ I_F = 100mA, 典型值0.36V
　　反向漏电流（I_R）：@ V_R = 30V, 最大值1.0μA
　　反向恢复时间（t_rr）：≤ 4ns
　　工作结温范围（T_J）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（T_stg）：-65°C 至 +150°C
　　焊接温度（T_L）：260°C（最大，10秒）

BAT54DW-7的核心特性之一是其低正向压降与高速开关能力的结合。由于采用肖特基势垒技术，其正向导通电压显著低于传统硅PN结二极管（通常为0.6V~0.7V）。在100mA的工作电流下，BAT54DW-7的典型正向压降仅为0.36V，这不仅降低了功耗，还减少了热量积累，特别适合电池供电或对能效敏感的系统。这种低V_F特性在电源路径中的防反接、OR-ing电路或DC-DC转换器的续流应用中尤为关键，有助于提升整体转换效率并延长电池寿命。
　　另一个重要特性是其极短的反向恢复时间（t_rr ≤ 4ns）。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此几乎无反向恢复电荷，避免了在高频开关过程中产生较大的反向恢复电流尖峰和电磁干扰（EMI）。这一特点使其非常适合用于高频整流、开关电源的续流与箝位电路，以及高速数字信号的整形与保护。此外，BAT54DW-7的双二极管共阴极结构允许在单个封装内实现两个功能一致的二极管，简化了PCB布局，节省了布板空间，提升了系统集成度。
　　该器件还具备良好的热稳定性与可靠性。其最大结温可达+150°C，支持在高温环境下长期运行，适用于工业控制、汽车电子等严苛应用场景。SOT-363封装采用成熟的塑料模压技术，具有优良的机械强度和湿度抵抗能力，符合JEDEC标准的回流焊工艺要求。此外，BAT54DW-7具有较低的反向漏电流（最大1.0μA @ 30V），在待机或低功耗模式下不会显著影响系统性能。综合来看，BAT54DW-7在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是现代小型化、高效化电子设计的理想选择。

BAT54DW-7广泛应用于多种电子系统中，尤其是在对空间、功耗和响应速度有较高要求的场合。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常被用于电池充放电管理电路中的电压隔离、多电源路径选择（Power OR-ing）以及防止反向电流流动。其低正向压降确保了在有限的电池容量下最大限度地减少能量损失，从而延长设备续航时间。
　　在接口电路保护方面，BAT54DW-7可用于USB、HDMI、音频接口等高速信号线的静电放电（ESD）防护和电压钳位。当信号线上出现瞬态过压时，肖特基二极管能够迅速导通，将多余能量泄放到地或电源轨，保护后级敏感IC免受损坏。由于其快速响应特性，不会对正常信号传输造成明显延迟或失真。
　　在电源管理领域，BAT54DW-7常作为低压差线性稳压器（LDO）或DC-DC转换器的续流二极管使用，特别是在同步整流不可行的小功率应用中。其快速恢复能力和低V_F有助于提高转换效率并降低温升。此外，该器件也适用于逻辑电平转换电路，利用其单向导通特性实现不同电压域之间的信号传递，例如将3.3V系统与1.8V或5V系统进行接口匹配。
　　在工业与汽车电子中，BAT54DW-7可用于传感器信号调理、继电器驱动电路的反电动势吸收、微控制器I/O端口保护等。其宽工作温度范围和高可靠性满足了这些领域对长期稳定运行的需求。总之，BAT54DW-7凭借其多功能性与高性能，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

BAS40-04W-7
　　BAT54H-DW
　　DMK1404UW-7
　　ZMMCL5V6
　　FMMT493TA